MOSFET IRF840
Mô tả chi tiết
Thông số kỹ thuật:
Điện áp đánh thủng là 500V.
Điện áp VGS = +/-20V
Dòng chịu đựng trung bình là 8A.
Nhiệt độ hoạt động: -55oC ~ 150oC.
Công suất: 125W
Mosfet IRF840 là mosfet kênh N hay mosfet ngược
Mosfet IRF840 là Transistor hiệu ứng trường (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) là một Transistor đặc biệt có cấu tạo và hoạt động khác với Transistor thông thường. Mosfet thường có công suất lớn hơn rất nhiều so với BJT, Mosfet IRF840 có công suất là 125W. Đối với tín hiệu 1 chiều thì nó coi như là 1 khóa.
Sơ đồ chân Mosfet IRF840
G: Gate gọi là cực cổng
D: Drain gọi là cực máng
S: Source gọi là cực nguồn
Mosfet IRF840 có nguyên tắc hoạt động dựa trên hiệu ứng từ trường để tạo ra dòng điện, là linh kiện có trở kháng đầu vào lớn thích hợp cho khuyếch đại các nguồn tín hiệu yếu.
Mosfet IRF840 thích hợp cho việc chuyển đổi DC sang AC hay DC. Thường ứng dụng trong UPS, inverter có biến thế thường.
Mosfet IRF840
Sau khi bạn đặt mua hàng, chúng tôi sẽ gọi lại cho bạn vào giờ hành chính để xác nhận lại đơn hàng, phí vận chuyển và thời gian giao hàng.
Liên hệ chi tiết mua hàng:
Địa chỉ cửa hàng Robocon: số 121 Bùi Xương Trạch – Khương Đình – Thanh Xuân – Hà Nội
Hotline: 0989583012 – 0989138391
Giao hàng toàn quốc – Giao hàng nội thành Hà Nội trong ngày.
