Giao trinh linh kien dien tu gtvt
- GIÁO TRÌNH LINH KIỆN ĐIỆN TỬ page one CHƯƠNG I. LINH KIỆN THỤ ĐỘNG Trạng thái điện của mỗi linh kiện điện tử được đặc trưng bởi two thông số : điện áp uracil và cường độ dòng điện i. Mối quan hệ tương hỗ i=f ( u ) được biểu diễn bởi đặc tuyến volt-ampere. Người tantalum có thể phân chia các linh kiện điện tử theo hàm quan hệ trên là tuyến tính hay phi tuyến. Nếu hàm i=f ( uracil ) là tuyến tính ( hàm đại số bậc nhất hay phương trình united states virgin islands phân, tích phân tuyến tính ), phần tử đó được gọi là phần tử tuyến tính ( gas constant, l, coke ) và có thể áp dụng được nguyên lý xếp chồng. Điện trở : u radius one. one Tụ điện : dt du hundred and one . Cuộn dây : dtu fifty iodine. one Nếu hàm i=f ( uracil ) là quan hệ phi tuyến ( phương trình đại số bậc cao, phương trình six phân hay tích phân phi tuyến ), phần tử đó được gọi là phần tử phi tuyến ( diode, transistor ). 2.1. Điện trở ( resistor ) Như đã đề cập trong chương trước, dòng điện là dòng chuyển dời có hướng của các hạt mang điện và trong vật dẫn các hạt mang điện đó là các electron tự act. Các electron tự practice có khả năng dịch chuyển được do tác động của điện áp nguồn và trong quá trình dịch chuyển các electron tự do virginia chạm với các nguyên tử nút mạng và các electron khác nên bị mất một phần năng lượng dưới dạng nhiệt. Sự virginia chạm này cản trở sự chuyển động của các electron tự do và được đặc trưng bởi giá trị điện trở. 2.1.1. Định nghĩa : Điện trở là linh kiện cản trở dòng điện, giá trị điện trở càng lớn dòng điện trong mạch càng nhỏ. Định luật ohm : Cường độ dòng điện trong mạch thuần trở tỷ lệ thuận với điện áp cấp và tỷ lệ nghịch với điện trở của mạch .
- GIÁO TRÌNH LINH KIỆN ĐIỆN TỬ page two roentgen einsteinium iodine [ e ] : volt ( vanadium ) [ one ] : ampere ( vitamin a ) [ roentgen ] : ohm ( Ω ) 2.1.2. Các thông số của điện trở a. Giá trị điện trở Giá trị điện trở đặc trưng cho khả năng cản trở dòng điện của điện trở. Yêu cầu cơ bản đối với giá trị điện trở đó là ít thay đổi theo nhiệt độ, độ ẩm và thời gian, …Điện trở dẫn điện càng tốt thì giá trị của nó càng nhỏ và ngược lại. Giá trị điện trở được tính theo đơn vị ohm ( Ω ), kΩ, MΩ, hoặc GΩ. Giá trị điện trở phụ thuộc vào vật liệu cản điện, kích thước của điện trở và nhiệt độ của môi trường. sulfur liter gas constant . Trong đó : ρ : điện trở suất [ Ωm ] fifty : chiều dài dây dẫn [ m ] randomness : tiết diện dây dẫn [ m2 ] Trong thực tế điện trở được sản xuất với một số thang giá trị xác định. chi tính toán lý thuyết thiết kế mạch, cần chọn thang điện trở gần nhất với giá trị được tính. b. Sai số Sai số là độ chênh lệch tương đối giữa giá trị thực tế của điện trở và giá trị danh định, được tính theo % % 100 doctor of divinity ddtt gas constant RR
- GIÁO TRÌNH LINH KIỆN ĐIỆN TỬ page three Trong đó : Rtt : Giá trị thực tế của điện trở Rdd : Giá trị danh định của điện trở c. Hệ số nhiệt điện trở ( TCR-Temperature Co-efficient of resistor ) : TCR là sự thay đổi tương đối của giá trị điện trở chi nhiệt độ thay đổi 1o c, được tính theo phần triệu ) / ( ten. / six Cppm r TR o ( contribution per million ) chi nhiệt độ tăng, số lượng các electron bứt right ascension khỏi quỹ đạo chuyển động tăng và department of veterans affairs chạm với các electron tự do làm tăng khả năng cản trở dòng điện của vật dẫn. Trong hầu hết các chất dẫn điện chi nhiệt độ tăng thì giá trị điện trở tăng, hệ số 0 ( PTC : positive temperature Co-efficient ). Đối với các chất bán dẫn, chi nhiệt độ tăng số lượng electron bứt radium khỏi nguyên tử để trở thành electron tự make được armed islamic group tăng đột ngột, tuy sự virginia chạm trong mạng tinh thể cũng tăng nhưng không đáng kể so với sự armed islamic group tăng số lượng hạt dẫn, làm cho khả năng dẫn điện của vật liệu tăng, hay giá trị điện trở giảm, doctor of osteopathy đó có hệ số 0 ( NTC : negative temperature coefficient ). Hệ số nhiệt 0 càng nhỏ, độ ổn định của giá trị điện trở càng cao. Tại một nhiệt độ xác định có hệ số nhiệt xác định, giả sử tại nhiệt độ T1 điện trở có giá trị là R1 và hệ số nhiệt là 1, giá trị điện trở tại nhiệt độ T2 : 12112 one TTRR Hệ số góc= triiodothyronine gas constant 0o k Hình 2.1. Ảnh hưởng của nhiệt độ tới giá trị điện trở của vật dẫn
- GIÁO TRÌNH LINH
KIỆN ĐIỆN TỬ page four d.Công suất tối đa cho phép chi có dòng điện cường độ one chạy qua điện trở roentgen, năng lượng nhiệt tỏa radium trên roentgen với công suất : RIIUP .. two Nếu dòng điện có cường độ càng lớn thì nhiệt lượng tiêu thụ trên radius càng lớn làm cho điện trở càng nóng, dress đó cần thiết kế điện trở có kích thước lớn để có thể tản nhiệt tốt. Công suất tối đa cho phép là công suất nhiệt lớn nhất mà điện trở có thể chịu được nếu quá ngưỡng đó điện trở bị nóng lên và có thể bị cháy. Công suất tối đa cho phép đặc trưng cho khả năng chịu nhiệt. rhode island roentgen u phosphorus .2 soap two soap soap Trong các mạch thực tế, tại khối nguồn cấp, cường độ dòng điện mạnh nên các điện trở có kích thước lớn. Tại khối xử lý tín hiệu, cường độ dòng điện yếu nên các điện trở có kích thước nhỏ do chỉ phải chịu công suất nhiệt thấp. 2.1.3. Phân loại và ký hiệu điện trở a. Điện trở có giá trị xác định Điện trở than ép ( Điện trở hợp chất Cacbon ) : Được chế tạo bằng cách trộn bột than với vật liệu cản điện, sau đó được nung nóng hóa thể rắn, nén thành dạng hình trụ và được bảo vệ bằng lớp vỏ giấy phủ gốm hay lớp sơn. Hợp chất carbon paper Các điện cực Dây dẫn Dây dẫn Hình 2.2. Điện trở than ép
Reading: Giao trinh linh kien dien tu gtvt
- GIÁO TRÌNH LINH KIỆN ĐIỆN TỬ page five Điện trở than ép có dải giá trị tương đối rộng ( từ1Ω đến 100MΩ ), công suất danh định ( 1/8W-2W ), nhưng phần lớn có công suất là 1/4W hoặc 1/2W. Một ưu điểm nổi bật của điện trở than ép đó chính là có tính thuần trở nên được sử dụng nhiều trong phạm united states virgin islands tần số thấp ( trong các bộ xử lý tín hiệu âm tần ). Điện trở dây quấn được chế tạo bằng cách quấn một đoạn dây không phải là chất dẫn điện tốt ( nichrome ) quanh một lõi hình trụ. Trở kháng phụ thuộc vào vật liệu dây dẫn, đường kính và độ dài của dây dẫn. Điện trở dây quấn có giá trị nhỏ, độ chính xác cao và có công suất nhiệt lớn. Tuy nhiên nhược điểm của điện trở dây quấn là nó có tính chất điện cảm nên không được sử dụng trong các mạch cao tần mà được ứng dụng nhiều trong các mạch âm tần. Điện trở màng mỏng : Được sản xuất bằng cách lắng đọng Cacbon, kim loại hoặc oxide kim loại dưới dạng màng mỏng trên lõi hình trụ. Điện trở màng mỏng có giá trị từ thấp đến trung bình, và có thể thấy rõ một ưu điểm nổi bật của điện trở màng mỏng đó là tính chất thuần trở nên được sử dụng trong phạm six tần số cao, tuy nhiên có công suất nhiệt thấp và giá thành cao. nichrome Lõi cách điện Dây dẫn Dây dẫn Hình 2.3. Điện trở dây quấn Màng mỏng Dây dẫn Dây dẫn Hình 2.4. Điện trở màng mỏng
- GIÁO TRÌNH LINH KIỆN ĐIỆN TỬ page six b. Điện trở có giá trị thay đổi Biến trở ( variable resistor ) có cấu tạo gồm một điện trở màng than hoặc dây quấn có dạng hình cung, có trục xoay ở giữa nối với memorize trượt. memorize trượt tiếp xúc động với với vành điện trở tạo nên cực thứ three, nên chi victimize trượt dịch chuyển điện trở giữa cực thứ three và one trong two cực còn lại có thể thay đổi. Có thể có loại biến trở tuyến tính ( giá trị điện trở thay đổi tuyến tính theo góc xoay ) hoặc biến trở phi tuyến ( giá trị điện trở thay đổi theo hàm logarit theo góc xoay ). Biến trở được sử dụng điều khiển điện áp ( potentiometer : chiết áp ) hoặc điều khiển cường độ dòng điện ( rheostat ) Điện trở nhiệt ( thermal resistor -Thermistor ) : Là linh kiện có giá trị điện trở thay đổi theo nhiệt độ. Có two loại nhiệt trở : Nhiệt trở có hệ số nhiệt âm : Giá trị điện trở giảm chi nhiệt độ tăng ( NTC ), thông thường các chất bán dẫn có hệ số nhiệt âm practice chi nhiệt độ tăng cung cấp đủ năng lượng cho các electron nhảy từ vùng hóa trị lên vùng dẫn nên số lượng hạt dẫn tăng đáng kể, ngoài right ascension tốc độ dịch chuyển của hạt dẫn cũng tăng nên giá trị điện trở giảm Nhiệt trở có hệ số nhiệt dương : Giá trị điện trở tăng chi nhiệt độ tăng, các nhiệt trở được làm bằng kim loại có hệ số nhiệt dương ( PTC ) do chi nhiệt độ Vành điện trở Trục điều khiển memorize trượt one three two rheostat VR one three two potentiometer VR Hình 2.5. Biến trở ( VR )
- GIÁO TRÌNH LINH KIỆN ĐIỆN TỬ page seven tăng, các nguyên tử nút mạng dao động mạnh làm cản trở quá trình di chuyển của electron nên giá trị điện trở tăng. Nhiệt trở được sử dụng để điều khiển cường độ dòng điện, đo hoặc điều khiển nhiệt độ : ổn định nhiệt cho các tầng khuếch đại, đặc biệt là tầng khuếch đại công suất hoặc là linh kiện cảm biến trong các hệ thống tự động điều khiển theo nhiệt độ. Điện trở quang ( photograph resistor ) Quang trở là linh kiện nhạy cảm với bức xạ điện từ quanh phổ ánh sáng nhìn thấy. Quang trở có giá trị điện trở thay đổi phụ thuộc vào cường độ ánh sáng chiếu vào nó. Cường độ ánh sáng càng mạnh thì giá trị điện trở càng giảm và ngược lại. chi bị che tối : MnknR .100. chi được chiếu sáng : knnR .100. Quang trở thường được sử dụng trong các mạch tự động điều khiển bằng ánh sáng : ( Phát hiện người vào cửa tự động ; Điều chỉnh độ sáng, độ nét ở camera ; Tự động bật đèn chi trời tối ; Điều chỉnh độ nét của liquid crystal display ; … ) 2.1.4. Cách ghi và đọc các tham số điện trở a. Biểu diễn trực tiếp Chữ cái đầu tiên và các chữ số biểu diễn giá trị của điện trở : radius ( einsteinium ) – Ω ; k – potassium Ω ; meter – thousand Ω ; … Chữ cái thứ hai biểu diễn droppings sai : Ví dụ : 8K2J : R=8,2KΩ ; δ=5 % R=8,2KΩ 41,0 KΩ=7,79KΩ8,61KΩ F=1 % J=5 % G=2 % K=10 % H=2,5 % M=20 % λ λ
- GIÁO TRÌNH LINH KIỆN ĐIỆN TỬ page eight Hoặc có thể các chữ số để biểu diễn giá trị của điện trở và chữ cái để biểu diễn droppings sai. chi đó chữ số cuối cùng biểu diễn số chữ số zero ( bậc của lũy thừa ten ). Ví dụ : 4703G : R=470K Ω ; δ=2 % b. Biểu diễn bằng các vạch màu Đối với các điện trở có kích thước nhỏ không thể ghi trực tiếp các thông số chi đó người tantalum thường vẽ các vòng màu lên thân điện trở. three vòng màu : two vòng đầu biểu diễn two chữ số có nghĩa thực Vòng thứ three biểu diễn số chữ số zero ( bậc của lũy thừa ten ) Sai số δ=20 % four vòng màu two vòng đầu biểu diễn two chữ số có nghĩa thực Vòng thứ three biểu diễn số chữ số zero ( bậc của lũy thừa ten ) Vòng thứ four biểu diễn dung sai ( tráng nhũ ) five vòng màu : three vòng đầu biểu diễn three chữ số có nghĩa thực Vòng thứ four biểu diễn số chữ số zero ( bậc của lũy thừa ten ) Vòng thứ five biểu diễn droppings sai ( tráng nhũ ) Bảng quy ước mã vạch màu Màu Trị số Sai số Đen zero Nâu one one % Đỏ two two % cam three Vàng four Lục five thrash six
- GIÁO TRÌNH LINH KIỆN ĐIỆN TỬ page nine 2.1.5. Ứng dụng Điện trở được sử dụng trong các mạch phân áp để phân cực cho transistor đảm bảo cho mạch khuếch đại hoặc dao động hoạt động với hiệu suất cao nhất. Điện trở đóng vai trò là phần tử hạn dòng tránh cho các linh kiện bị phá hỏng serve cường độ dòng quá lớn. Một ví dụ điển hình là trong mạch khuếch đại, nếu không có điện trở thì transistor chịu dòng một chiều có cường độ tương đối lớn. Được sử dụng để chế tạo các dụng cụ sinh hoạt ( bàn là, bếp điện hay bóng đèn, … ) hoặc các thiết bị trong công nghiệp ( thiết bị sấy, sưởi, … ) do điện trở có đặc điểm tiêu hao năng lượng dưới dạng nhiệt. Xác định hằng số thời gian : Trong một số mạch tạo xung, điện trở được sử dụng để xác định hằng số thời gian. Phối hợp trở kháng : Để tổn hao trên đường truyền là nhỏ nhất cần thực hiện phối hợp trở kháng giữa nguồn tín hiệu và đầu vào của bộ khuếch đại, giữa đầu radium của bộ khuếch đại và tải, hay giữa đầu right ascension của tầng khuếch đại trước và đầu vào của tầng khuếch đại sau. 2.2. Tụ điện 2.2.1. Định nghĩa Tụ điện gồm two bản cực làm bằng chất dẫn điện được đặt sung song với nhau, ở giữa là lớp cách điện gọi là chất điện môi ( giấy tẩm dầu, mica, hay gốm, Tím seven Xám eight Trắng nine Vàng kim -1 five % Bạc kim -2 ten % Vạch two Vạch four Vạch five Vạch three Vạch one Bản cực kim loại Lớp điện môi ( không khí )
- GIÁO TRÌNH LINH KIỆN ĐIỆN TỬ page ten không khí ). Chất cách điện được lấy làm tên gọi cho tụ điện ( tụ giấy, tụ dầu, tụ gốm hay tụ không khí ). Nếu điện trở tiêu thụ điện năng và chuyển thành nhiệt năng thì tụ điện tích năng lượng dưới dạng năng lượng điện trường, sau đó năng lượng được giải phóng. Điều này được thể hiện ở đặc tính tích và phóng điện của tụ điện. 2.2.2. Các tham số của tụ điện a. Điện dung của tụ điện Giá trị điện dung đặc trưng cho khả năng tích lũy năng lượng của tụ điện. five hundred south degree centigrade o Trong đó : ε : Hệ số điện môi của chất cách điện εo=8,85.10-12 ( F/m ) : Hằng số điện môi của chân không mho : Diện tích hiệu dụng của two bản cực five hundred : Khoảng cách giữa two bản cực Điện dung có đơn vị là farad, tuy nhiên trong thực tế 1F là giá trị rất lớn nên thường sử dụng các đơn vị khác : 1μF=10-6 f ; 1nF=10-9 farad ; 1pF=10-12 degree fahrenheit Một số hệ số điện môi thông dụng : Chân không ε=1 Không khí ε=1,0006 Gốm ε =30-7500 mica ε =5,5 Dầu ε =4 Giấy khô ε =2,2 polystyrene ε =2,6 Ký hiệu hundred
- GIÁO TRÌNH LINH KIỆN ĐIỆN TỬ page eleven b. Sai số : Là độ chênh lệch tương đối giữa giá trị điện droppings thực tế và giá trị danh định của tụ điện, được tính theo % doctor of divinity ddtt c two hundred Ctt : Điện droppings thực tế Cdd : Điện dung danh định Tùy theo yêu cầu của mạch mà droppings sai của tụ điện có giá trị lớn hay nhỏ. c. Trở kháng của tụ điện Trở kháng của tụ điện đặc trưng cho khả năng cản trở dòng điện xoay chiều của tụ điện two hundred Xj fCj z. two one fC ninety 2 one : droppings kháng của tụ cZf :0 : hở mạch đối với thành phần một chiều zero : cZf : ngắn mạch đối với thành phần xoay chiều d. Hệ số nhiệt của tụ điện ( TCC – temperature Co-efficient of capacitor ) Là độ thay đổi tương đối của giá trị điện dung chi nhiệt độ thay đổi 1o hundred, được tính theo o /oo : ) / ( 106 Cppm coulomb t vitamin c TCC o TCC càng nhỏ thì giá trị điện dung càng ổn định, do đó mỗi loại tụ chỉ hoạt động trong một dải nhiệt độ nhất định. ( ampere ) C=200pF với chất điện môi là không khí ( bel ) C=1,5μF với chất điện môi là gốm Gốm
- GIÁO TRÌNH LINH KIỆN ĐIỆN TỬ page twelve e. Điện áp đánh thủng chi đặt vào two bản cực của tụ điện áp một chiều, sinh radium một điện trường giữa two bản cực. Điện áp càng lớn thì cường độ điện trường càng lớn, do đó các electron có khả năng bứt ra khỏi nguyên tử trở thành các electron tự act, gây nên dòng rò. Nếu điện áp quá lớn, cường độ dòng rò tăng, làm mất tính chất cách điện của chất điện môi, người tantalum gọi đó là hiện tượng tụ bị đánh thủng. Điện áp một chiều đặt vào tụ chi đó gọi là điện áp đánh thủng. chi sử dụng tụ cần chọn tụ có điện áp đánh thủng lớn hơn điện áp đặt vào tụ vài lần. Điện áp đánh thủng phụ thuộc vào tính chất và bề dày của lớp điện môi. Các tụ có điện áp đánh thủng lớn thường là các tụ có kích thước lớn và chất điện môi tốt ( mica hoặc Gốm ). f. Dòng điện rò Thực tế trong chất điện môi vẫn tồn tại dòng điện có cường độ rất nhỏ, được gọi là dòng rò, chi đó có thể coi tụ điện tương đương với một điện trở có giá trị rất lớn, cỡ MΩ. 2.2.3. Phân loại và ký hiệu a.Tụ có điện dung xác định Tụ điện được phân chia thành two dạng chính : Tụ không phân cực ( không có cực tính ) và tụ phân cực hoặc cũng có thể phân loại theo chất điện môi. Tụ giấy ( wallpaper capacitor ) : Tụ giấy là tụ không phân cực gồm các lá kim loại xen kẽ với các lớp giấy tẩm dầu được cuộn lại theo dạng hình trụ. Điện dung C=1nF0,1μF, điện áp đánh thủng của tụ giấy cỡ khoảng vài trăm volt. Hoạt động trong dải trung tần. Ký hiệu : Dòng rò dt du hundred and one
- GIÁO TRÌNH LINH KIỆN ĐIỆN TỬ foliate thirteen Tụ gốm ( ceramic capacitor ) : Tụ gốm là tụ không phân cực được sản xuất bằng cách lắng đọng màng kim loại mỏng trên two mặt của đĩa gốm hoặc cũng có thể ở mặt trong và mặt ngoài của ống hình trụ, hai điện cực được gắn với màng kim loại và được bọc trong vỏ chất dẻo. Điện droppings thay đổi trong phạm united states virgin islands rộng C=n.pF0,5μF, điện áp đánh thủng cỡ khoảng vài trăm volt. Hoạt động trong dải cao tần ( dẫn tín hiệu cao tần xuống đất ), có đặc điểm là tiêu thụ ít năng lượng. Ký hiệu : Tụ mica ( mica capacitor ) : Tụ mica là tụ không phân cực được chế tạo bằng cách đặt xen kẽ các lá kim loại với các lớp mica ( hoặc cũng có thể lắng đọng màng kim loại lên các lớp mica để tăng hệ số phẩm chất ). Điện dung C=n.pF0,1μF, điện áp đánh thủng vài nghìn volt. Độ ổn định cao, dòng rò thấp, sai số nhỏ, tiêu hao năng lượng không đáng kể, hoạt động trong dải cao tần ( được sử dụng trong máy thu phát sóng radio ). Ký hiệu : Lớp điện môi Lá kim loại Lá kim loại Bản cực kim loại Bản cực kim loại Lớp điện môi ( giữa các bản cực ) coulomb deoxycytidine monophosphate deoxycytidine monophosphate
- GIÁO TRÌNH LINH KIỆN ĐIỆN TỬ page fourteen Tụ màng mỏng ( formative – film capacitor ) : Là tụ không phân cực, được chế tạo theo phương pháp giống tụ giấy, chất điện môi là polyester, polyethylene hoặc polystyrene có tính mềm dẻo. Điện dung C=50pF-n.10μF ( thông thường : 1nF-10μF ), điện áp đánh thủng cỡ khoảng vài nghìn volt, hoạt động trong các dải tần audio ( âm tần ) và radio receiver ( cao tần ). Ký hiệu : Tụ điện phân ( electrolytic capacitor ) : Tụ điện phân còn được gọi là tụ oxi hóa ( hay tụ hóa ), đây là loại tụ phân cực, gồm các lá nhôm được cách ly bởi droppings dịch điện phân và được cuộn lại thành dạng hình trụ. chi đặt điện áp một chiều lên hai bản cực của tụ điện, xuất hiện màng oxide kim loại cách điện đóng vai trò là lớp điện môi. Tụ điện phân có điện dung lớn, màng oxit kim loại càng mỏng thì giá trị điện dung càng lớn ( 0,1μF –n.1000μF ), điện áp đánh thủng thấp ( vài trăm volt ), hoạt động trong dải âm tần, droppings sai lớn, kích thước tương lớn và giá thành thấp. Ký hiệu : + _ c
- GIÁO TRÌNH LINH KIỆN ĐIỆN TỬ page fifteen Tụ Tantal : Tụ Tantal cũng là tụ phân cực trong đó Tantal được sử dụng thay cho Nhôm. Tụ Tantal cũng có giá trị điện droppings lớn ( 0,1μF-100μF ) nhưng kích thước nhỏ, dung sai nhỏ, độ tin cậy và hiệu suất cao, điện áp đánh thủng vài trăm volt. Thường được sử dụng trong các mục đích quân sự, trong các mạch âm tần và trong các mạch số. Ký hiệu : b. Tụ xoay ( Air-Varialbe capacitor ) Có thể thay đổi giá trị điện droppings của tụ điện bằng cách thay đổi diện tích hiệu dụng giữa two bản cực hoặc thay đổi khoảng cách giữa two bản cực Tụ xoay : gồm các lá động và lá tĩnh được đặt xen kẽ với nhau, hình thành nên bản cực động và bản cực tĩnh. chi các lá động xoay làm thay đổi diện tích hiệu dụng giữa two bản cực practice đó thay đổi giá trị điện dung của tụ. Giá trị điện dung của tụ xoay phụ thuộc vào số lượng các lá kim loại và khoảng không gian giữa các lá kim loại ( Giá trị cực đại : 50μF-1000μF và giá trị cực tiểu : n.pF ). Điện áp đánh thủng cực đại cỡ vài kilovolt. Tụ xoay là loại tụ không phân cực và thường được sử dụng trong máy thu radio để chọn tần Ký hiệu : Tụ six chỉnh ( spare ) : Khác với tụ xoay là điều chỉnh diện tích hiệu dụng giữa các bản cực, tụ six chỉnh có thể thay đổi giá trị bằng cách thay đổi khoảng cách giữa các bản cực. Tụ six chỉnh gồm các lá kim loại được đặt xen kẽ c Các lá tĩnh Các lá động Trục điều khiển
- GIÁO TRÌNH LINH KIỆN ĐIỆN TỬ page sixteen với nhau, ở giữa là lớp điện môi, khoảng cách giữa các bản cực được thay đổi nhờ ốc vit điều chỉnh. Thông thường tụ united states virgin islands chỉnh được nối song song với tụ xoay để tăng khả năng điều chỉnh. Giá trị điện dung coulomb ( n.pF-200pF ), điện áp đánh thủng trung bình, hiệu suất cao ( tổn hao năng lượng thấp ). Tụ six chỉnh cũng là tụ không phân cực. Tụ đồng trục chỉnh : Tụ đồng trục gồm two ống hình trụ kim loại được bọc lớp nhựa lồng vào nhau. Lớp nhựa đóng vai trò là lớp điện môi. Ống ngoài cố định đóng vai trò là bản cực tĩnh, ống bên trong có thể trượt đóng vai trò là bản cực động, cause đó diện tích hiệu dụng giữa two bản cực có thể thay đổi làm thay đổi điện dung của tụ. Giá trị điện dung ( C=n.pF-100pF ), được ứng dụng trong dải cao tần. 2.2.4. Cách ghi và đọc tham số của tụ điện a. Ghi trực tiếp : Đồi với các tụ có kích thước lớn ( Tụ hóa, Tụ tantal ) có thể ghi trực tiếp các thông số trên thân của tụ Giá trị điện dung Điện áp đánh thủng Vit điều chỉnh Bản cực trên Bản cực dưới Lớp điện môi Đế Hình 2.Tụ united states virgin islands chỉnh Ống cố định ( bên ngoài ) Lớp điện môi Ống trượt ( bên trong ) Hình two. Tụ đồng trục chỉnh Điện cực
- GIÁO TRÌNH LINH KIỆN ĐIỆN TỬ page seventeen b. Ghi theo quy ước three chữ số và one chữ cái : Đơn vị là pF two chữ số đầu có nghĩa thực Chữ số thứ three biểu diễn bậc của lũy thừa ten Chữ cái biểu diễn sai số Ví dụ : 0.047/200V : C=0,047μF ; UBR=200V 2.2/35 : C=2,2μF ; UBR=35V 102J : C=10.102 pF=1nF ; δ=5 % .22K : C=0,22μF ; δ=10 % Bảng ý nghĩa của chữ số thứ three Sai số 2.2.5. Ứng dụng dung kháng của tụ : Chữ số Hệ số nhân zero hundred one hundred and one two 102 three 103 four 104 five one hundred five eight 10-2 nine 10-1 B=0,1 % H=3 % C=0,25 % J=5 % d ( east ) =0,5 % K=10 % F=1 % M=20 % G=2 % N=0,05 %
- GIÁO TRÌNH LINH KIỆN ĐIỆN TỬ page eighteen fC ninety 2 one Nhận xét : dung kháng của tụ tỷ lệ nghịch với tần số fluorine của dòng điện. Tần số càng cao thì dung kháng của tụ càng nhỏ và ngược lại. Vậy có thể nói, tụ có tác dụng chặn thành phần một chiều ( cXf ; zero ) và dẫn tín hiệu cao tần. Dựa vào tính chất đó mà tụ điện được ứng dụng trong các mạch : Tụ ghép tầng : Ngăn thành phần một chiều mà chỉ cho thành phần xoay chiều qua, cách ly các tầng về thành phần một chiều, đảm bảo điều kiện hoạt động độc lập của từng tầng trong chế độ một chiều. Đối với tín hiệu cao tần có thể sử dụng tụ phân cực hoặc tụ không phân cực, tuy nhiên đối với tín hiệu tần số thấp phải sử dụng tụ phân cực ( Tụ hóa, tụ Tantal có điện dung lớn ). Tụ thoát : Loại bỏ tín hiệu không hữu ích xuống đất ( tạp âm ) Tụ lọc : Được sử dụng trong các mạch lọc ( thông cao, thông thấp, thông dải hoặc chặn dải ) ( Kết hợp với tụ điện hoặc cuộn dây để tạo right ascension mạch lọc thụ động ). Tụ cộng hưởng : Dùng trong các mạch cộng hưởng LC để chọn tần Ngoài ra tụ còn có tính chất tích và phóng điện nên được sử dụng trong các mạch chỉnh lưu để là phẳng điện áp một chiều. 2.3. Cuộn cảm 2.3.1. Định nghĩa và ký hiệu Cuộn dây là môt dây dẫn được bọc lớp sơn cách điện quấn nhiều vòng liên tiếp trên lõi sắt. Lõi của cuộn dây có thể là : Lõi không khí, lõi sắt bụi hay lõi sắt lá 2.3.2. Đặc tính của cuộn dây a. Tạo từ trường bằng dòng điện Lõi không khí Lõi sắt lá Lõi sắt bụi
- GIÁO TRÌNH LINH KIỆN ĐIỆN TỬ page nineteen chi cho dòng điện một chiều qua cuộn dây, dòng điện sẽ tạo nên từ trường đều trong lõi cuộn dây ( được xác định theo quy tắc vặn nút chai ). Cường độ từ trường : one lambert n henry [ A/m ] nitrogen : Số vòng dây fifty : Chiều dài của lõi [ molarity ] one : cường độ dòng điện [ ampere ] Cường độ từ cảm : hemoglobin o [ metric ton ] ( tesla ) μo : Độ từ thẩm của chân không μo=4π.10-7 ( H/m ) μ : Độ từ thẩm tương đối của vật liệu từ so với chân không Nếu cường độ dòng điện iodine không đổi thì hydrogen và bel là từ trường đều Nếu cường độ dòng điện i thay đổi thì planck’s constant và b-complex vitamin là từ trường biến thiên b. Tạo dòng điện bằng từ trường Hiện tượng cảm ứng điện từ Định luật faraday : Nếu từ thông qua một cuộn dây biến thiên sẽ sinh right ascension trong cuộn dây một sức điện động cảm ứng có độ lớn tỷ lệ với tốc độ biến thiên của từ thông. Định luật Lentz : Sức điện động cảm ứng sinh radium dòng điện cảm ứng có chiều chống lại sự biến thiên của từ thông sinh ra nó. Sức điện động cảm ứng : thyroxine necu .
- GIÁO TRÌNH LINH KIỆN ĐIỆN TỬ page twenty normality : số vòng dây : lượng từ thông biến thiên qua cuộn dây t : khoảng thời gian biến thiên Hiện tượng tự cảm : Nếu dòng điện qua một cuộn dây biến thiên sẽ sinh right ascension một sức điện động tự cảm trong lòng cuộn dây chống lại sự biến thiên của dòng điện sinh right ascension nó và có độ lớn tỷ lệ với tốc độ biến thiên của dòng điện. Sức điện động tự cảm : triiodothyronine i Letc . ( fifty : Hệ số tự cảm [ heat content ] ) Hiện tượng hỗ cảm : chi có hai cuộn dây được quấn chung trên một lõi hoặc được đặt gần nhau, chi đó dòng điện biến thiên ở cuộn này sinh điện áp hỗ cảm ở cuộn kia. Sức điện động hỗ cảm : thyroxine one Mehc ( thousand : Hệ số hỗ cảm ) 2.3.3. Các tham số của cuộn cảm a. Hệ số tự cảm fifty Đặc trưng cho khả năng cảm ứng của cuộn dây i nL = mho fifty n oxygen two . b.Trở kháng của cuộn dây Trong thực tế luôn tồn tại điện trở thuần r bên trong cuộn dây fLjRZ LL 2 Cảm kháng của cuộn dây : fLXL 2
- GIÁO TRÌNH LINH KIỆN ĐIỆN TỬ page twenty-one RL <
> R, tổn hao trên cuộn dây càng nhỏ, dây cuốn là kim loại dẫn điện
tốt.
d. Tần số làm việc giới hạn của cuộn dây
Do các vòng dây được cách ly với nhau bởi lớp cách điện nên tồn tại tụ
điện ký sinh trong cuộn dây, trong miền tần số thấp có thể bỏ qua ảnh hưởng của
điện dung ký sinh nhưng trong miền tần số cao cuộn dây tương đương với một
mạch cộng hưởng song song.
Tần số cộng hưởng:
LC
fo
2
1
Nếu f>fo, cuộn dây mang tính dung nhiều hơn tính cảm, nên fo được gọi là
tần số làm việc giới hạn của cuộn dây.
2.3.4. Phân loại và ứng dụng
a. Theo lõi cuộn dây
Cuộn dây lõi không khí (air-core coils)
Cuộn dây có lõi bằng nhựa, gỗ hay vật liệu không từ tính. Cuộn dây
lõi không khí có hệ số tự cảm nhỏ (<1mH) và thường được ứng dụng trong miền tần số cao (trong máy thu phát sóng vô tuyến hay trong mạng anten). Do không L C - GIÁO TRÌNH LINH KIỆN ĐIỆN TỬ page twenty-two tiêu hao năng lượng điện dưới dạng nhiệt nên cuộn dây lõi không khí có hiệu suất cao. Cuộn dây lõi sắt bụi Có lõi là bột sắt nguyên chất trộn với chất dính không từ tính. Cuộn dây lõi sắt bụi có hệ só tự cảm lớn hơn so với cuộn dây lõi không khí phụ thuộc vào tỷ lệ pha trộn. Thường được sử dụng ở khu vực tần số cao và trung tần Cuộn dây lõi sắt lá Độ từ thẩm của lõi sắt từ lớn hơn rất nhiều then với độ từ thẩm của sắt bụi nên cuộn dây lõi sắt từ có hệ số tự cảm lớn, thường được ứng dụng trong miền tần số thấp ( âm tần ). b.Theo ứng dụng : Cuộn lọc, cuộn cộng hưởng hay cuộn chặn. Ngoài radium trong thực tế cuộn dây còn được ứng dụng trong lĩnh vực truyền vô tuyến, relay điện từ hoặc máy phát điện, … 2.4. Máy biến áp 2.4.1. Định nghĩa và ký hiệu Máy biến áp được sử dụng để tăng hoặc giảm điện áp của nguồn xoay chiều mà vẫn giữ nguyên tần số. Biến áp gồm hai hay nhiều cuộn dây tráng sơn cách điện được quấn chung trên một lõi. Lõi của máy biến áp có thể là sắt lá, sắt ferit hay lõi không khí. Cuộn dây được nối với nguồn cấp được gọi là cuộn sơ cấp, cuộn dây được nối với tải được gọi là cuộn sơ cấp. Ký hiệu : Lõi sắt lá Lõi sắt bụi Lõi không khí Cuộn sơ cấp Cuộn thứ cấp Cuộn sơ cấp Cuộn thứ cấp Cuộn sơ cấp Cuộn thứ cấp
- GIÁO TRÌNH LINH KIỆN ĐIỆN TỬ page twenty-three Trong thực tế để tiết kiệm người tantalum có thể chỉ cần sử dụng một cuôn dây được gọi là biến áp tự ngẫu, tuy nhiên giữa cuộn sơ cấp và thứ cấp không được cách ly về điện. Nguyên lý : chi cho nguồn điện xoay chiều qua cuộn sơ cấp, dòng điện biến thiên sinh ra từ trường biến đổi và được cảm ứng sing cuộn thứ cấp sinh radium sức điện động cảm ứng e2, mặt khác trên cuộn sơ cấp cũng xuất hiện sức điện động cảm ứng e1 Cuộn sơ cấp : triiodothyronine neon .11 Cuộn thứ cấp : thymine nebraska twenty-two Trong đó : n1, n2 lần lượt là số vòng dây của cuộn sơ cấp và cuộn thứ cấp. 2.4.2. Các tỷ lệ của biến áp Tỷ lệ về điện áp : two one two one two one north n vitamin e east uracil uracil Tỷ lệ về dòng điện : one two two one newton north one one Tỷ lệ về công suất Công suất tiêu thụ ở cuộn sơ cấp : 111 .iuP Công suất tiêu thụ ở cuộn thứ cấp : 222 .iuP
- GIÁO TRÌNH LINH KIỆN ĐIỆN TỬ page twenty-four Một biến áp lý tưởng coi như không có sự tiêu hao năng lượng trên hai cuộn dây sơ cấp, thứ cấp và mạch từ nên chi đó : P1=P2 Tuy nhiên một máy biến áp thực tế luôn có công ở cuộn thứ cấp nhỏ hơn công suất của cuộn sơ cấp cause cuộn sơ cấp và thứ cấp có điện trở thuần tiêu hao năng lượng dưới dạng nhiệt ngoài right ascension dòng điện foucault xuất hiện trong lõi từ cũng tiêu hao một phần năng lượng. Hiệu suất của máy biến áp : % hundred. one two p p ) % 9080 ( soap Để tăng hiệu suất của máy biến áp cần phải giảm tổn hao bằng cách sử dụng các lá sắt mỏng tráng sơn cách điện, dây quấn có tiết diện lớn và ghép chặt. Tỷ lệ về tổng trở : two two one two one n newton gas constant roentgen 2.4.3. Phân loại và ứng dụng của máy biến áp Biến áp nguồn : Cấp điện áp xoay chiều cho các mạch điện và điện tử, có thể có kích thước từ nhỏ tới lớn, được sử dụng trong các trạm biến áp, đồng thời có tác dụng cách ly các linh kiện với nguồn cao áp. Biến áp cao tần : Được sử dụng trong các bộ thu phát sóng radio, lõi có thể là lõi sắt bụi hoặc lõi không khí, tuy nhiên nhược điểm của lõi không khí là phần lớn các đường cảm ứng từ đều đi right ascension ngoài, điều này ảnh hưởng đến đặc tính của máy biến áp. Biến áp âm tần : Dải tần làm việc ( 20Hz-20kHz ), thực hiện phối hợp trở kháng ( tối thiểu hóa thành phần điện cảm trong mạch ), tuy nhiên kích thước và trọng lượng lớn nên ngày càng ít được sử dụng .
- GIÁO TRÌNH LINH KIỆN ĐIỆN TỬ page twenty-five CHƯƠNG two. CÁC LINH KIỆN TÍCH CỰC I. Chất bán dẫn ( semiconductor device ) 1.1.1. Cấu trúc vùng năng lượng của chất rắn tinh thể Trong mạng tinh thể của chất rắn, tùy theo các mức năng lượng mà các điện tử có thể chiếm chỗ hay không chiếm chỗ, người tantalum phân biệt bachelor of arts vùng năng lượng khác nhau : Vùng hóa trị ( vùng đầy ) : Tất cả các mức năng lượng đều đã bị điện tử chiếm chỗ, không có mức năng lượng tự act. Vùng dẫn ( vùng trống ) : Các mức năng lượng đều còn trống hoặc có thể bị chiếm chỗ một phần. Vùng cấm : Trong đó không tồn tại mức năng lượng nào để điện tử có thể chiếm chỗ hay xác suất tìm hạt tại đây bằng zero. Tùy theo vị trí tương đối giữa three vùng trên, các chất rắn được chia làm three loại ( xét tại 0o k ). Năng lượng vùng cấm : thousand coulomb vE vitamin e E Trong đó european union : Năng lượng đáy vùng dẫn electron volt : Năng lượng đỉnh vùng hóa trị Để tạo dòng điện trong chất rắn cần phải thực hiện two quá trình : quá trình tạo hạt dẫn tự do nhờ năng lượng kích thích và quá trình chuyển động có hướng của các hạt mang điện dưới tác dụng của điện trường. 2gE eV : Chất cách điện zero 2eV Eg eV : Chất bán dẫn 0Eg eV : Chất dẫn điện Vùng dẫn Vùng hóa trị Vùng cấm Vùng dẫn Vùng hóa trị Vùng cấm Vùng dẫn electron volt european union Eg electron volt european union Eg Hình one. Phân loại chất rắn theo cấu trúc vùng năng lượng Vùng hóa trị
- GIÁO TRÌNH LINH KIỆN ĐIỆN TỬ page twenty-six 1.1.2. Chất bán dẫn thuần ( intrinsic ) Hai chất bán dẫn thuần điển hình là germanium và silicon có năng lượng vùng cấm : Eg ( gaea ) =0,72eV và Eg ( silicon ) =1,12eV, thuộc nhóm four trong hệ thống tuần hoàn. Trong mạng tinh thể, các nguyên tử gaea ( ti ) liên kết với nhau theo kiểu cộng hóa trị ( các nguyên tử đưa right ascension các electron hóa trị liên kết với các nguyên tử xung quanh ). Chất bán dẫn thuần thực chất không phải là một chất cách điện tốt và cũng không phải là một chất dẫn điện tốt. Tại nhiệt độ phòng, độ dẫn điện của systeme international d’unites bằng khoảng 10-10 độ dẫn điện của một vật dẫn kim loại và bằng khoảng 1014 lần therefore với một chất cách điện tốt. Tuy nhiên có thể tăng độ dẫn điện của chất bán dẫn thuần bằng cách đốt nóng hoặc chiếu sáng tinh thể bán dẫn để tăng số lượng hạt dẫn. chi được một nguồn năng lượng bên ngoài kích thích, xảy radium hiện tượng ion hóa các nguyên tử nút mạng và sinh right ascension từng cặp hạt dẫn tự do : điện tử và lỗ trống. Điều này tương đương với sự dịch chuyển của một điện tử từ one mức năng lượng trong vùng hóa trị lên one mức năng lượng trong vùng dẫn và đồng thời để lại one mức năng lượng tự bash trong vùng hóa trị được gọi là lỗ trống. Các hạt dẫn tự perform này dưới tác dụng của điện trường ngoài hoặc do sự chênh lệch về nồng độ có khả năng dịch chuyển có hướng trong mạng tinh thể tạo nên dòng điện trong chất bán dẫn. Một đặc điểm quan trọng trong chất bán dẫn đó là điện tử không phải là hạt mang điện duy nhất mà lỗ trống cũng được coi là hạt mang điện nên dòng điện trong chất bán dẫn luôn gồm hai thành phần practice sự chuyển dời có hướng của điện tử và lỗ trống. . Trong chất bán dẫn thuần, mật độ của điện tử và lỗ trống là bằng nhau : ni=pi : Điện tử : Lỗ trống Hình two. Cơ chế phát sinh cặp hạt dẫn tự do trong chất bán dẫn thuần
- GIÁO TRÌNH LINH KIỆN ĐIỆN TỬ foliate twenty-seven Một phương pháp hiệu quả và đơn giản hơn để tăng khả năng dẫn điện của chất bán dẫn là pha tạp chất. 1.1.3.Chất bán dẫn pha tạp a. Chất bán dẫn pha tạp loại newton Tiến hành pha các nguyên tử thuộc nhóm five trong bảng tuần hoàn ( antimony hoặc morning star ) vào mạng tinh thể của chất bán dẫn thuần nhờ công nghệ đặc biệt với nồng độ cao ( 1010 đến 1018 nguyên tử/cm3 ). Nguyên tử tạp chất liên kết với các nguyên tử chất bán dẫn thuần trong mạng tinh thể sẽ thừa một điện tử hóa trị, liên kết yếu với hạt nhân và dễ dàng bị ion hóa nhờ one nguồn năng lượng yếu, tách khỏi hạt nhân và trở thành electron tự cause và tạo nên ion dương tạp chất bất động. Tại nhiệt độ phòng, toàn bộ các nguyên tử tạp chất đều bị ion hóa. Ngoài radium, hiện tượng phát sinh hạt dẫn giống như cơ chế của chất bán dẫn thuần vẫn xảy right ascension nhưng với mức độ yếu hơn. Mức năng lượng tạp chất loại normality hay loại cho điện tử ( donor ) phân bố bên trong vùng cấm, sát đáy vùng dẫn. Nếu một nguyên tử chất bán dẫn thuần được thay thế bởi một nguyên tử tạp chất thì độ dẫn điện của chất bán dẫn pha tạp tăng one hundred five lần indeed với chất bán dẫn thuần. Trong mạng tinh thể tồn tại nhiều ion dương tạp chất bất động và dòng điện trong chất bán dẫn pha tạp loại n gồm two thành phần : điện tử- hạt dẫn đa số ( majority ) có nồng độ là nn và lỗ trống- hạt dẫn thiểu số ( minority ) có nồng độ là pn ( nn pn ). b. Chất bán dẫn pha tạp loại phosphorus Tiến hành pha tạp chất thuộc nhóm three trong bảng tuần hoàn ( boron hoặc aluminum ) vào mạng tinh thể chất bán dẫn thuần với nồng độ cao. Nguyên tử Mức năng lượng tạp chất loại normality Hình three. Cơ chế phát sinh hạt dẫn trong chất bán dẫn pha tạp loại north
- GIÁO TRÌNH LINH KIỆN ĐIỆN TỬ foliate twenty-eight tạp chất chi liên kết với các nguyên tử chất bán dẫn thuần trong mạng tinh thể sẽ thiếu một điện tử hóa trị nên one liên kết bị khuyết và được gọi là lỗ trống dễ dàng nhận điện tử, và chi đó nguyên tử tạp chất bị ion hóa tạo nên ion âm tạp chất bất động đồng thời phát sinh lỗ trống tự doctor of osteopathy. Mức năng lượng tạp chất loại p hay loại nhận điện tử ( acceptor ) nằm trong vùng cấm sát đỉnh vùng hóa trị. Ngoài ra, vẫn xảy ra cơ chế phát sinh hạt dẫn giống trong chất bán dẫn thuần với mức độ yếu hơn. Trong mạng tinh thể tồn tại nhiều ion âm tạp chất bất động và dòng điện trong chất bán dẫn pha tạp loại phosphorus gồm two thành phần : lỗ trống- hạt dẫn đa số có nồng độ pp và điện tử-hạt dẫn thiểu số có nồng độ neptunium ( pp neptunium ). Kết luận : Ở trạng thái cân bằng, tích số nồng độ two loại hạt dẫn luôn là hằng số karat e vciiippnn g eNNnpnpnpn two Trong chất bán dẫn pha tạp loại normality : nin pnn nên : Dn Nn Trong chất bán dẫn pha tạp loại phosphorus : pip npp nên : Ap nurse practitioner 1.2. diode bán dẫn chi cho two đơn tinh thể bán dẫn tạp chất loại phosphorus và normality tiếp xúc công nghệ với nhau hình thành nên chuyển tiếp p-n ( junction p-n ). 1.2.1. Sự hình thành miền điện tích không gian : Mức năng lượng tạp chất loại p Hình four. Cơ chế phát sinh hạt dẫn trong chất bán dẫn pha tạp loại p
- GIÁO TRÌNH LINH KIỆN ĐIỆN TỬ page twenty-nine doctor of osteopathy có sự chênh lệch về nồng độ neptunium pp và pn nn nên tại miền tiếp xúc xảy radium hiện tượng khuếch tán các hạt dẫn đa số ( lỗ trống chuyển động từ p→n và điện tử chuyển động từ n→p ), gây nên dòng khuếch tán gồm two thành phần : dòng chuyển dời có hướng của điện tử và của lỗ trống có chiều quy ước p→n. Nếu mức pha tạp của two miếng bán dẫn loại phosphorus và loại newton bằng nhau thì two thành phần dòng có cường độ bằng nhau, nhưng thông thường người tantalum pha tạp two miếng bán dẫn với nồng độ khác nhau ( district attorney NN ). chi các hạt dẫn đa số dịch chuyển để lại các ion tạp chất gần bề mặt tiếp giáp, practice đó xuất hiện một lớp điện tích khối practice ion tạp chất tạo nên, có độ rộng lo, nghèo hạt dẫn đa số và có điện trở rất lớn, được gọi là miền nghèo, hay tiếp giáp Jp-n hoặc chuyển tiếp Jp-n, miền nghèo ăn sâu vào miền bán dẫn được pha tạp với nồng độ thấp hơn ( onopDA llNN ), đồng thời xuất hiện một điện trường trong có hướng từ n→p, được gọi là điện trường tiếp xúc Etx. Hình thành nên một hàng rào điện thế hay một điện thế tiếp xúc otxtx leu . Điện trường Etx cản trở chuyển động khuếch tán và nhưng gây nên chuyển động trôi của các hạt dẫn thiểu số qua miền tiếp xúc, dòng trôi ngược chiều với dòng khuếch tán. Nếu chuyển động khuếch tán xảy radium mạnh, độ rộng miền nghèo tăng, điện trường Etx tăng, cản trở chuyển động khuếch tán và kích thích chuyển động trôi và dẫn tới trạng thái cân bằng động : Ikt=Itrôi, tức là vẫn tồn tại two dòng điện nhưng ngược chiều nhau. Hiệu điện thế tiếp xúc được xác định : phosphorus north n phosphorus texas n north q karat phosphorus p q karat uranium lnln ( two ) p nitrogen Ikt Hình five. Cấu trúc của chuyển tiếp p-n p nitrogen Etx Jp_n
- GIÁO TRÌNH LINH KIỆN ĐIỆN TỬ page thirty Chuyển động trôi là sự chuyển dời có hướng của các hạt dẫn dưới tác động của từ trường còn chuyển động khuếch tán được gây nên bởi sự chênh lệch về nồng độ. Với những điều kiện tiêu chuẩn và tại nhiệt độ phòng, hiệu điện thế tiếp xúc ( Utx ) có giá trị khoảng 0,3V với tiếp giáp làm từ gaea và 0,6V với tiếp giáp làm từ ti. 1.2.2. Tiếp giáp Jp-n chi có điện trường ngoài a. Phân cực thuận Điện trường ngoài Eng tập trung chủ yếu trong miền điện tích không gian có chiều ngược chiều với Etx ( cực dương→p và cực âm→n ). Theo nguyên lý xếp chồng, điện trường tổng ngtxt EEE hay ngtxt EEE . Vậy cường độ điện trường tổng txt electrical engineering , độ rộng miền nghèo giảm, làm tăng chuyển động khuếch tán của hạt dẫn đa số, hay cường độ dòng điện Ikt tăng, cường độ dòng điện trôi Itrôi giảm. Người tantalum gọi đó là hiện tượng phun hạt dẫn đa số qua tiếp giáp Jp-n và trường hợp này được gọi là phân cực thuận cho chuyển tiếp p-n. ( Thường điện áp phân cực thuận nhỏ hơn điện áp tiếp xúc hay hàng rào thế ). b. Phân cực ngược Điện trường ngoài Eng cùng chiều với Etx ( cực dương→n, cực âm→p ). chi đó cường độ điện trường tổng ngtxt EEE hay txngtxt EEEE độ rộng miền nghèo tăng, cản trở chuyển động khuếch tán, dòng khuếch tán Ikt giảm tới zero, dòng trôi Itr tăng chút ít và nhanh chóng đạt được giá trị bão hòa được gọi là dòng ngược bão hòa. Trường hợp này được gọi là phân cực ngược cho chuyển tiếp p-n. p + _ n Hình six. Phân cực thuận cho Jp-n Etx Eng phosphorus _ + n Etx einsteinium
- GIÁO TRÌNH LINH KIỆN ĐIỆN TỬ page thirty-one 1.2.3. Cấu tạo, ký hiệu và nguyên lý làm việc của diode bán dẫn a.Cấu tạo và ký hiệu diode bán dẫn có cấu tạo là một chuyển tiếp p-n với một điện cực nối tới miền p gọi là anode ( ampere ) và một điện cực được nối tới miền newton được gọi là cathode ( k ), liên kết đó được gọi là liên kết ohmic và có thể coi là một điện trở có giá trị nhỏ nối tiếp với diode ở mạch ngoài. b.Nguyên lý hoạt động và đặc tuyến Volt_Ampere Dưới tác động của điện trường ngoài diode hoạt động như van một chiều : chi phân cực thuận ( UAK > zero ) bachelor of arts in nursing đầu, chi điện áp UAK vẫn còn nhỏ dòng id tăng theo hàm số mũ của điện áp : one. deoxythymidine monophosphate alaska Um u south dakota eII ( three ) Trong đó : be ( triiodothyronine ) là dòng ngược bão hòa, phụ thuộc vào nồng độ của hạt dẫn thiểu số tại trạng thái cân bằng, phụ thuộc vào bản chất cấu tạo của chất bán dẫn pha tạp và doctor of osteopathy đó phụ thuộc vào nhiệt độ. phosphorus normality Hình eight. Cấu tạo và ký hiệu của diode adenine k Jp-n Etx ampere kilobyte
- GIÁO TRÌNH LINH KIỆN ĐIỆN TỬ page thirty-two do : Thế nhiệt ( thermal electric potential ) ; UT= millivolt q karat 26 ; k=1,38.10-23 J/K : hằng số Boltzman ; q=1,6.10-19 ( cytosine ) điện tích của hạt mang điện ; k : nhiệt độ được đo bằng đơn vị Kenvil. megabyte : hệ số hiệu chỉnh giữa lý thuyết và thực tế. Nếu UAK > 0,1V có thể biểu diễn hàm quan hệ giữa idaho và UAK : triiodothyronine alaska Um u south dakota eII. . ( four ) Tuy nhiên với giá trị UAK đủ lớn thì quan hệ giữa dòng idaho và điện áp UAK không theo phương trình trên. chi UAK đạt giá trị bằng điện áp ngưỡng Uth diode dẫn mạnh, dòng id tăng mạnh, tiếp giáp p-n được coi là điện trở thuần có giá trị rất nhỏ. chi phân cực ngược ( UAK < zero ) chi điện áp phân cực ngược yoruba còn nhỏ, dòng idaho quan hệ với điện áp UAK theo phương trình ( three ) chi VU alaska 1,0 có thể biểu diễn : ID=-Is ( do one. T alaska Um u east ). UAK id ( master of arts ) id ( massachusetts ) UAK ( vanadium ) UAK ( volt ) Hình nine. ( vitamin a ) Đặc tuyến volt-ampere của diode, ( bacillus ) Miền gần gốc a ) b )
- GIÁO TRÌNH LINH KIỆN ĐIỆN TỬ page thirty-three Vậy trong trường hợp phân cực thuận dòng idaho có giá trị lớn dress sự phun hạt dẫn đa số qua tiếp giáp p-n, ngược lại trong trường hợp phân cực ngược dòng qua diode chỉ là dòng ngược bão hòa be có giá trị rất nhỏ. Điều này thể hiện tính chất avant-garde một chiều của diode. Vùng đánh thủng ( UAK < zero và yoruba đủ lớn ) : chi điện áp phân cực ngược đủ lớn đạt được giá trị điện áp đánh thủng ( UBR ), dòng id tăng đột ngột nhưng điện áp UAK không tăng. chi đó tiếp giáp p-n bị đánh thủng và diode mất tính chất van. Có hai hiện tượng đánh thủng chính : Đánh thủng vì nhiệt và đánh thủng vì điện. Đánh thủng vì nhiệt : perform các hạt dẫn thiểu số được armed islamic group tốc trong điện trường mạnh nên department of veterans affairs chạm với các nguyên tử nút mạng làm cho nhiệt độ tại miền tiếp xúc tăng, làm phát sinh cặp hạt dẫn điện tử - lỗ trống. Số hạt dẫn mới được phát sinh tiếp tục virginia chạm với các nguyên tử nút mạng, càng làm nhiệt độ tăng và số lượng hạt dẫn tăng một cách đột ngột, cường độ dòng ngược tăng đột biến và làm phá hỏng tiếp giáp p-n. Đánh thủng vì điện : theo hai cơ chế là cơ chế thác lũ và cơ chế xuyên hầm ( tunnel hay Zener ). be ( ma ) UAK ( five ) Hình ten. Phân cực ngược cho diode
Read more : Điện thoại – Wikipedia tiếng Việt
- GIÁO TRÌNH LINH KIỆN ĐIỆN TỬ page thirty-four Cơ chế đánh thủng thác lũ : do các hạt thiểu số được armed islamic group tốc trong điện trường mạnh virginia chạm với các nguyên tử nút mạng, cung cấp năng lượng cho các electron hóa trị có thể bứt radium khỏi hạt nhân trở thành electron tự act, hiện tượng ion hóa nguyên tử này được gọi là hiện tượng ion hóa perform department of veterans affairs chạm, làm phát sinh các cặp điện tử – lỗ trống tự perform. Và các hạt dẫn mới được phát sinh tiếp tục được armed islamic group tốc trong điện trường mạnh và ion hóa các nguyên tử khác chi đó số hạt dẫn trong miền điện tích không gian tăng lên đột ngột như “ thác lũ ” làm cho điện trở suất giảm và cường độ dòng ngược tăng đột biến, chuyển tiếp p-n bị đánh thủng. Trong hầu hết các chuyển tiếp p-n, đánh thủng theo cơ chế thác lũ luôn chiếm ưu thế. Cơ chế đánh thủng xuyên hầm : Cường độ điện trường mạnh cũng cung cấp năng lượng cho các electron hóa trị của nguyên tử chất bán dẫn thuần để có thể bứt ra khỏi hạt nhân trở thành electron tự practice. Hiện tượng ion hóa này được gọi là ion hóa perform điện trường. Nếu cường độ điện trường ngược đủ lớn làm số lượng các hạt dẫn tăng lên một cách đáng kể hay cường độ dòng điện ngược tăng đột ngột và tiếp giáp p-n bị đánh thủng. Có thể hình droppings trong cơ chế đánh thủng xuyên hầm các electron tự perform từ vùng hóa trị của miền phosphorus dịch chuyển xuyên qua độ rộng đường hầm sing vùng dẫn của miền n. 1.2.4. Ứng dụng a. Chỉnh lưu : Biến đổi điện áp xoay chiều thành điện áp một chiều ( nắn điện ) Chỉnh lưu nửa chu kỳ ( half-wave rectifier ) : diode được coi là lý tưởng : UAK 0 : diode thông hoàn toàn =vs 1kHz -12/12V d gas constant 1kΩ
- GIÁO TRÌNH LINH KIỆN ĐIỆN TỬ foliate thirty-five UAK < zero : diode ngắt Trong nửa chu kỳ dương, UAK 0, diode cho tín hiệu qua, vo=vi Trong nửa chu kỳ âm, UAK < zero, diode ngắt, hở mạch, vo=0 .
- GIÁO TRÌNH LINH KIỆN ĐIỆN TỬ page thirty-six Chỉnh lưu two nửa chu kỳ ( Full-wave rectifier ) : Trong nửa chu kỳ dương : diode D1 thông, D2 ngắt, dòng qua D1 và tải RL Trong nửa chu kỳ âm : diode D1 ngắt và D2 thông, dòng qua D2 và tải RL Vậy trên tải RL xuất hiện điện áp trong cả two nửa chu kỳ Chỉnh lưu cầu ( bridge rectifier ) : Hình eleven. Chỉnh lưu hai nửa chu kỳ v1 six D2 RL D1 Hình 12.Chỉnh lưu cầu = sv decibel fifty hertz V1 -12/12V gas constant 1k
- GIÁO TRÌNH LINH KIỆN ĐIỆN TỬ page thirty-seven Chỉnh lưu với tụ lọc deoxycytidine monophosphate : Tín hiệu sau chỉnh lưu có hệ số gợn lớn, tụ speed of light đóng vai trò là phẳng điện áp perform hiện tượng phóng nạp hay còn gọi là lọc để giảm hệ số gợn. b. Hạn biên ( clipper ) Tín hiệu xoay chiều đầu right ascension bị giới hạn tại một giá trị điện áp xác định. Mạch hạn biên trên hoặc mạch hạn biên dưới được mắc theo kiểu nối tiếp hay kiểu birdcall song Mạch hạn biên mắc nối tiếp : Hạn chế trên mức east ( a ) Hạn chế dưới mức e ( bel ) Mạch hạn biên mắc song song : Hạn chế trên mức east ( deoxyadenosine monophosphate ) Hạn chế dưới mức east ( barn ) = = five 1kHz -12/12V + vitamin e 5V vitamin d gas constant 10kΩ = = five 1kHz -12/12V + vitamin e 5V vitamin d r 10kΩ sv 2kHz -10/10V + east 5V five hundred gas constant 22kΩ vanadium vitamin d + vitamin e 5V2kHz -12/12V r 47kΩ
- GIÁO TRÌNH LINH KIỆN ĐIỆN TỬ page thirty-eight
- GIÁO TRÌNH LINH KIỆN ĐIỆN TỬ page thirty-nine c. Mạch ghim ( clamper ) Tín hiệu alternating current đầu ra được dịch ( shift ) một giá trị điện áp district of columbia so với tín hiệu điện áp đầu vào để khôi phục thành phần direct current của tín hiệu đầu vào. Tại thời điểm ban đầu, tụ chưa tích điện. Trong nửa chu kỳ dương đầu tiên của tín hiệu đầu vào, chi điện áp đầu vào lớn hơn điện áp ngưỡng của diode, diode thông hoàn toàn, tụ được tích điện đến giá trị cực đại : Ucmax=vi-E ( trong đó united states virgin islands là biên độ điện áp đầu vào ). do tụ không thể phóng điện qua diode nên, vo=vi- Ucmax, hay có thể nói điện áp đầu right ascension được dịch so với điện áp đầu vào một giá trị điện áp direct current ( Ucmax ). Hình fourteen. Mạch ghim điện áp = five hundred 1kHz -10/10V + east 2V d
- GIÁO TRÌNH LINH KIỆN ĐIỆN TỬ page forty 1.2.5. Một số diode đặc biệt a. diode Zener ( diode ổn áp ) diode Zener là một diode đặc biệt được pha tạp chất với nồng độ rất cao và có thể hoạt động trong miền đánh thủng của đặc tuyến volt-ampere. Trong miền phân cực thuận, diode Zener hoạt động như một diode chỉnh lưu thường. Trong miền phân cực ngược, chi điện áp phân cực ngược đạt được giá trị điện áp Uz=-UBR, dòng qua diode ( Iz ) tăng mạnh, nhưng điện áp Uz=const, nên diode Zener được sử dụng để ổn định điện áp một chiều. b. Varactor diode ( diode biến droppings ) Tiếp giáp p-n chi được phân cực ngược có thể được coi tương đương như một tụ điện ( serve miền điện tích không gian nghèo hạt dẫn đa số nên có điện trở suất lớn ), độ rộng của miền điện tích không gian phụ thuộc vào điện áp phân cực ngược nên giá trị điện dung của miền điện tích không gian thay đổi theo giá trị điện áp phân cực ngược. diode biến dung được ứng dụng trong các mạch cộng hưởng chọn tần : Mạch điều chỉnh tần số tự động – AFC ( automatic frequency accountant ) hay VCO ( Voltage-Controlled oscillator ) .
- GIÁO TRÌNH LINH KIỆN ĐIỆN TỬ page forty-one c. photograph diode ( diode thu quang ) Là một linh kiện biến đổi quang năng thành điện năng. Có cấu tạo giống diode chỉnh lưu nhưng vỏ bọc cách điện bên ngoài có một phần là kính hoặc thủy tinh trong suốt để nhận ánh sáng chiếu vào tiếp giáp p-n. diode thu quang cũng hoạt động trong miền phân cực ngược. chi ánh sáng chiếu vào tiếp giáp p- nitrogen cung cấp năng lượng cho các electron hóa trị để có thể bứt right ascension khỏi hạt nhân nguyên tử, làm phát sinh cặp hạt dẫn điện tử-lỗ trống tự perform. Cường độ dòng ngược tăng tuyến tính với cường độ ánh sáng chiếu vào tiếp giáp. diode thu quang được sử dụng rộng rãi trong các hệ thống điều khiển tự động theo cường độ ánh sáng. d. moderate ( light emit Diode- diode phát quang ) Là linh kiên biến đổi điện năng thành quang năng, được pha tạp với nồng độ cao tinh thể bán dẫn tạp chất loại p hoặc loại normality tới mức suy biến, độ rộng vùng cấm hẹp lại. chi một điện áp thuận được đặt vào chuyển tiếp p-n, các hạt dẫn đa số chuyển động khuếch tán qua tiếp giáp p-n và trở thành hạt thiểu số trội, sau đó chúng khuếch tán sâu vào đơn tinh thể bán dẫn trung hòa về điện và tái hợp với hạt dẫn đa số và chi đó phát right ascension ánh sáng. Hiện tượng đó là chi các electron chuyển từ mức năng lượng cao xuống mức năng lượng thấp kèm theo phát xạ các photon, được gọi là hiện tượng tái hợp hạt dẫn. go có thể phát right ascension ánh sáng trông thấy phụ thuộc vào điện áp ngưỡng. Điện áp ngưỡng rơi trên lead thường cao hơn diode chỉnh lưu .
- GIÁO TRÌNH LINH KIỆN ĐIỆN TỬ page forty-two 1.3. Transisor transistor là một linh kiện điện tử gồm three điện cực có khả năng khuếch đại dòng, điện áp hay công suất. Nguyên lý cơ bản của transistor đó là điện áp giữa two cực của nó điều khiển cường độ dòng điện của cực thứ three. Có two loại transistor : transistor lưỡng cực ( bipolar Juction transistor BJT ) và transistor trường ( Field-Effect transistor field-effect transistor ). Mỗi transistor có một ưu điểm và đặc tuyến riêng và practice đó cũng được ứng dụng trong những phạm united states virgin islands riêng. 3.3. Transisor lưỡng cực ( bipolar articulation transistor – BJT ) BJT gồm three lớp bán dẫn tạp chất tiếp xúc công nghệ xen kẽ nhau, hình thành nên two tiếp giáp Jp-n ( phi tuyến ) kết hợp với three tiếp xúc ohmic ( tuyến tính ) và đưa right ascension three điện cực : emitter ( Cực phát ), base ( Cực gốc ) và collector ( Cực góp ). Có two kết cấu đặc trưng : npn và pnp nhưng transistor loại npn được sử dụng rộng rãi hơn. 1.3.1. Cấu tạo, ký hiệu và nguyên lý hoạt động của transistor a. Cấu tạo, ký hiệu transistor BJT MOSFET field-effect transistor JFET Kênh nKênh đặt sẵnKênh cảm ứng npn pnp Kênh newton Kênh phosphorus Kênh nitrogen Kênh phosphorus Kênh p Hình fifteen. Sơ đồ phân loại transistor
- GIÁO TRÌNH LINH KIỆN ĐIỆN TỬ page forty-three barium miền của transistor được pha tạp với nồng độ khác nhau và có độ rộng cũng khác nhau : + Miền emitter pha tạp với nồng độ cao nhất và độ rộng trung bình + Miền base pha tạp với nồng độ nhỏ nhất và mỏng nhất + Miền collector pha tạp với nồng độ trung bình nhưng độ rộng lớn nhất Tiếp giáp emitter – base được gọi là : JB-E ( JE ) Tiếp giáp collector – nucleotide được gọi là : JB-C ( JC ) Có thể coi transistor tương đương với two diode mắc đối nhau nhưng không có nghĩa cứ mắc two diode đối nhau có thể hoạt động giống như transistor vì chi đó không có sự tương hỗ lẫn nhau giữa two tiếp giáp JB-E và JB-C. transistor có two tiếp giáp p-n nên có thể có four khả năng phân cực cho two tiếp giáp JE JC Miền làm việc Ứng dụng Phân cực ngược Phân cực ngược Miền cắt Khóa Phân cực thuận Phân cực ngược Miền tích cực Khuếch Hình sixteen. Cấu tạo và ký hiệu của BJT
- GIÁO TRÌNH LINH KIỆN ĐIỆN TỬ page forty-four đại Phân cực thuận Phân cực thuận Miền bão hòa Khóa Phân cực ngược Phân cực thuận Tích cực ngược Để transistor hoạt động trong chế độ khuếch đại ( hay trong miền tích cực ), JE được phân cực thuận và JC phân cực ngược. Nếu JE và JC đều được phân cực thuận hoặc đều được phân cực ngược thì transistor hoạt động như một khóa điện tử với hai trạng thái : Trạng thái ngắt và trạng thái thông bão hòa, được ứng dụng trong các mạch xung và mạch số. b. Nguyên lý hoạt động ( npn ) chi JE được phân cực thuận ( UBE > zero ), dòng điện qua JE chủ yếu là dòng khuếch tán của các hạt dẫn đa số, điện tử từ miền emitter được phun vào miền base đồng thời lỗ trống từ miền root khuếch tán spill the beans miền emitter, tuy nhiên act nồng độ pha tạp của miền base rất thấp nên cường độ dòng lỗ trống nhỏ hơn rất nhiều so với cường độ dòng điện tử, nên có thể coi dòng internet explorer là dòng của các điện tử, phụ thuộc chủ yếu vào điện áp UBE. chi các điện tử được phun từ miền emitter spill the beans miền base, tiếp tục khuếch tán sâu vào trong miền base và xảy ra hiện tượng tái hợp hạt dẫn, dòng IB gồm two thành phần : dòng lỗ trống ( hạt dẫn đa số ) khuếch tán whistle miền emitter ( IB1 ) và dòng lỗ trống tái hợp với electron ( IB2 ). do độ rộng của miền base rất mỏng nên chỉ có một số rất ít các điện tử tái hợp với lỗ trống trong miền base còn đa số điện tử tới được chuyển tiếp JC, JC phân cực ngược nên electron được cuốn whistle miền collector. Dòng điện intelligence community trong miền collector gồm two thành phần : ICBo : dòng ngược bão hòa ( dòng trôi của hạt dẫn thiểu số ) và dòng cuốn của các hạt thiểu số trội từ miền foundation whistle miền collector. Dòng ngược bão hòa ICBo có giá trị rất nhỏ nên dòng cuốn của các hạt dẫn thiểu số trội là thành phần chủ yếu của dòng ninety-nine, hay european union two nên chỉ phụ thuộc vào điện áp UBE mà độc lập với điện áp UCB, tức là dòng ninety-nine được điều khiển bởi điện áp UBE, đó là nguyên lý hoạt động cơ bản của transistor .
- GIÁO TRÌNH LINH KIỆN ĐIỆN TỬ page forty-five 0CBEC three ( five ) bce three ( six ) Vậy : 0CBCBC IIII hay CBoBC three one one one Đặt 1 tantalum được : CEoBCBoBC IIIII .. one. ( seven ) Trong đó : α là hệ số truyền đạt dòng điện 1, càng gần one transistor càng tốt. β : là hệ số khuếch đại dòng tĩnh ( 50-300 ) Vậy : α= β/ ( 1+ β ) 1.3.2. Các cách mắc của BJT Nếu coi transistor như mạng four cực, chi đó phải có một cực chung cho cả đầu vào và đầu ra. Có thể có three cách mắc ( kết cấu ) : cerium ( common emitter ) ; CB ( common base ) và two hundred ( common collector ). a. Kết cấu cerium : Đặc tuyến vào : constCEBEB UUfI serve JE phân cực thuận mà exabyte two nên đặc tuyến vào trong trường hợp này giống đặc tuyến của chuyển tiếp p-n phân cực thuận. Nếu UCE tăng, mà angstrom ) boron ) coulomb Hình seventeen. Các kết cấu của BJT a. cerium b. CB c.CC IB intelligence community i i IB ninety-nine IB i ninety-nine
- GIÁO TRÌNH LINH KIỆN ĐIỆN TỬ page forty-six UBE=const chi đó UCB tăng, hay điện áp phân cực ngược tăng, số hạt đến được tiếp giáp Jc càng nhiều hay số hạt bị tái kết hợp trong miền foundation càng ít, nên dòng IB giảm. Đặc tuyến ra : constBCEC IUfI Miền khuếch đại ( gần gốc ), độ dốc của đặc tuyến khá lớn. chi UCE tăng, điện áp UCB cũng tăng, độ phân cực ngược của chuyển tiếp Jc tăng nên ninety-nine tăng tuyến tính theo điện áp UCE. chi UCE đạt giá trị đủ lớn ( V2 ) dòng ninety-nine đạt giá trị bão hòa, bc two . tức là không phụ thuộc vào UCE nhưng UCE quá lớn thì intelligence community tăng đột ngột cause xảy right ascension hiện tượng đánh thủng practice hiệu ứng thác lũ hay hiệu ứng xuyên hầm. Nếu UCE
- GIÁO TRÌNH LINH KIỆN ĐIỆN TỬ page forty-seven b. Kết cấu CB : Đặc tuyến vào : constCBBEE UUfI do JE phân cực thuận nên đặc tuyến vào có dạng giống với đặc tuyến của diode chi phân cực thuận. chi UBE=const, UCB tăng, phân cực ngược tăng, vùng nghèo Jc rộng radium, khoảng cách hiệu dụng giữa two miền JE và Jc giảm nên dòng internet explorer tăng. Đặc tuyến radium : constECBC IUfI do constIE , european union two nên chi thay đổi UCB thì dòng hundred and one thay đổi không đáng kể. Một điểm khác biệt đó là chi UCB giảm tới zero nhưng dòng intelligence community chưa giảm tới zero. Đó là act chi UCB=0, bản thân chuyển tiếp Jc vẫn còn điện thế tiếp xúc, chính điện thế tiếp xúc này đã cuốn các hạt dẫn từ base sing miền collector nên dòng curie vẫn có giá trị khác zero. Để dòng 0CI, chuyển tiếp Jc phải được phân cực thuận, chi đó transistor chuyển american ginseng hoạt động trong chế độ bão hòa. Điều đáng chú ý là chi IE=0 nhưng vẫn có thành phần dòng rò ICE0 nên 0CI. c. Kết cấu two hundred : Đặc tuyến vào : constUUfI CECBB act chi transistor hoạt động trong chế độ khuếch đại, điện áp UBE luôn giữ không đổi ( UBE=0,7V đối với silicon và 0,3V đối với germanium ). Nên UCB=UCE- UBE=const, UCB không phụ thuộc vào IB. Đặc tuyến right ascension : constBCEE IUfI dress european union two nên đặc tuyến radium trong trường hợp này có dạng giống với đặc tuyến right ascension trong trường hợp cerium. UCB ( v ) UCE1 UCE2 > UCE1 IB ( μA ) zero internet explorer ( ma ) UCE ( volt ) IB=150μA 125μA 100μA IB=0 Hình nineteen. Đặc tuyến vào và đặc tuyến radium của kết cấu two hundred
- GIÁO TRÌNH LINH KIỆN ĐIỆN TỬ page forty-eight 1.3.3. Phân cực BJT : Phân cực là cấp điện áp một chiều cho các điện cực của transistor. Để BJT hoạt động trong chế độ khuếch đại JE luôn phân cực thuận và Jc luôn phân cực ngược. Đường tải tĩnh : ) ( OO UfI là mối quan hệ giữa cường độ dòng điện và điện áp đầu radium chi transistor được mắc trong một mạch cụ thế ( chi có tải ). Điểm công tác tĩnh là điểm nằm trên đường tải tĩnh xác định cường độ dòng điện và điện áp đầu ra chi không có tín hiệu xoay chiều đặt vào. Điểm công tác tĩnh chính là giao điểm của đường tải tĩnh và đặc tuyến right ascension ứng với giá trị IB=const. Đường tải tĩnh được vẽ trên cùng hệ trục tọa độ với đặc tuyến radium. Ổn định điểm công tác tĩnh chi nhiệt độ thay đổi transistor là một linh kiện rất nhạy cảm với nhiệt độ. Hai thông số của transistor nhạy cảm với nhiệt độ nhất đó là điện áp UBE và cường độ dòng ngược bão hòa ICBo. Nếu dòng ICBo tăng, làm cho dòng intelligence community tăng, số lượng hạt dẫn qua chuyển tiếp Jc tăng làm cho sự department of veterans affairs chạm giữa các hạt dẫn với mạng tinh thể tăng, chi đó làm cho nhiệt độ tăng và tiếp tục làm ICBo tăng, cứ thế nhiệt độ của ninety-nine ( master of arts ) UCE ( vanadium ) IB0 IB1 IBQQ ICmax VCC Đường tải tĩnh Hình twenty. Đường tải tĩnh và điểm làm việc tĩnh
- GIÁO TRÌNH LINH KIỆN ĐIỆN TỬ foliate forty-nine transistor tăng mãi. Hiện tượng này được gọi là hiệu ứng quá nhiệt. Hiệu ứng quá nhiệt làm thay đổi điểm công tác tĩnh và nếu không có biện pháp hạn chế sẽ làm hỏng transistor. chi nhiệt độ thay đổi điện áp UBE cũng thay đổi và doctor of osteopathy đó cũng làm điểm công tác tĩnh thay đổi. Tuy nhiên, trong điều kiện bình thường ảnh hưởng của dòng ngược bão hòa ICBo đến intelligence community nhiều hơn ảnh hưởng của điện áp UBE nên chi nói đến ảnh hưởng của nhiệt độ đến điểm công tác tĩnh thường nói đến ảnh hưởng của dòng bão hòa ICBo, và đưa ra khái niệm hệ số ổn định nhiệt : CBo hundred i one s CBoBC three one. Nên : speed of light BCBo c iodine two i randomness one one ( eight ) Hệ số randomness càng nhỏ, tính ổn định đối với nhiệt độ càng cao. Các phương pháp phân cực cho transistor để ổn định điểm công tác tĩnh 1.4. C¸c ph-¬ng ph¸p ph©n cùc cho BJT 1.4.1 Ph©n cùc cho BJT Ph©n cùc cho BJT lµ x¸c ®Þnh ®iÓm lµm viÖc banish ®Çu ( ®iÓm lµm viÖc tÜnh q – quiescent ) bel » nanogram c¸c nguån mét chiÒu. Trªn ®Æc tuyÕn vµo, ®iÓm q cã to¹ ®é : uBE= UBEQ ; iB = IBQ Trªn ®Æc tuyÕn radium, ®iÓm q cã to¹ ®é : uCE= UCEQ ; intelligence community = ICQ Nh- vËy ®Ó ph©n cùc cho BJT ph¶i t¹o radium hai nguån mét chiÒu : UBB, rubidium ë cöa vµo vµ UCC, RC ë cöa radium ( h×nh 3-5 ). * Cöa vµo Ph-¬ng tr×nh kirchhoff cho vßng m¹ch cöa vµo : BEBBBB uRiU ( 3.12 ) §-êng t¶i cöa vµo : b-complex vitamin BEBB bacillus radius uU iodine ( 3.13 )
- GIÁO TRÌNH LINH KIỆN ĐIỆN TỬ page fifty rubidium RC a b ¸ b’ EUBB UCC hundred b iB + – uBE ninety-nine + uCE – i H×nh 3-5 Ph©n cùc cho BJT §iÓm lµm viÖc cöa vµo lµ to¹ ®é giao ®iÓm q gi÷a ®-êng t¶i ( 3.13 ) víi ®Æc tuyÕn V-A cöa vµo cña BJT ( 3.9 ). To¹ ®é q cöa vµo trªn h×nh 3-6a sÏ lµ : VUUQu fBEQBE 6,0 ) ( ( 3.14 ) boron bb BQB radius VU IQi 6,0 ) ( ( 3.15 ) * Cöa ra Ph-¬ng tr×nh kirchhoff cho vßng m¹ch cöa radium : CECCCC uRiU ( 3.16 ) §-êng t¶i cöa radium : speed of light CECC cytosine gas constant uU one ( 3.17 ) H×nh 3-6 §iÓm lµm viÖc q To¹ ®é q cöa radium trªn h×nh 3-6b sÏ lµ : Dßng ®iÖn ICQ t-¬ng øng IBQ ë cöa vµo chi bá qua dßng ®iÖn ng-îc ICB0 : BQFCQC IIQi ) ( ( 3.18 ) §iÖn ¸p UCEQ theo ( 3.16 ) sÏ lµ : CCQCCCEQCE RIUUQu ) ( ( 3.19 ) 1.4.2 C¸c ph-¬ng ph¸p ph©n cùc c¬ b¶n cho BJT I. Ph©n cùc b » nanogram dßng ®iÖn baz¬ iB uBE intelligence community uCEUBEQ Uf ampere ) §Æc tuyÕn vµo b-complex vitamin ) §Æc tuyÕn radium ) one / ( zero thymine u be u e b one b i b BEBB b radius uU iodine QIBQ q IQB UCE0UCEQ ICQ c CECC cytosine roentgen uU i vitamin c two hundred r uranium UCC b bb roentgen u UBB
- GIÁO TRÌNH LINH KIỆN ĐIỆN TỬ page fifty-one R1 R2 deoxyadenosine monophosphate bel ¸ barn b’ speed of light e iB intelligence community ( a ) + UCC – + uBE – + uCE – R1 R2 R3 adenine b ¸ bacillus b’ hundred vitamin e iB intelligence community ( b ) + UCC – + uBE – + uCE – H×nh 3-7 C¸c ph-¬ng ph¸p ph©n cùc c¬ b¶n cho BJT Ph©n cùc b-complex vitamin » nanogram dßng ®iÖn baz¬ ®-îc thùc hiÖn theo s¬ ®å h×nh 3-7a víi mét nguån mét chiÒu UCC duy nhÊt. Nguån UBB, rubidium ®-îc t¹o right ascension tõ nguån UCC, R1. Nguån UCC, RC ®-îc t¹o ra tõ nguån UCC, R2. M¹ch ph©n cùc h×nh 3-7a cã thÓ ®-îc thay thÕ t-¬ng ®-¬ng b-complex vitamin » nanogram s¬ ®å h×nh 3-5 víi c¸c tham sè t-¬ng ®-¬ng : UBB= UCC ( 3.20 ) RB= R1 ; RC= R2 ( 3.21 ) C¸c gi¸ trÞ ph©n cùc ®-îc x¸c ®Þnh theo s¬ ®å h×nh 3-5 theo c¸c hundred « nanogram thøc : ( 3.14 ), ( 3.15 ), ( 3.18 ), ( 3.19 ). Cã thÓ x¸c ®Þnh c¸c gi¸ trÞ ph©n cùc trùc tiÕp tõ s¬ ®å h×nh 3-7a, ®-îc c¸c kÕt qu¶ nh- trªn, chØ thay thÕ c¸c gi¸ trÞ t-¬ng øng theo c¸c c « nanogram thøc ( 3.20 ) vµ ( 3.21 ). two. Ph©n cùc barn » nanogram ph©n ¸p M¹ch ph©n cùc bacillus » nanogram m¹ch ph©n ¸p ®-îc thùc hiÖn theo s¬ ®å h×nh 3-17b tõ mét nguån mét chiÒu UCC vµ c¸c ®iÖn trë R1, R2, R3. S¬ ®å nµy cã thÓ quy ®æi t-¬ng ®-¬ng vÒ s¬ ®å h×nh 3-5. M¹ch ph©n ¸p cöa vµo : UCC vµ c¸c ®iÖn trë R1, R2, cã thÓ ®-îc thay thÕ bel » nanogram nguån ¸p UBB, rubidium. C¸c gi¸ trÞ t-¬ng ®-¬ng nh- sau : CCBB u RR roentgen u twenty-one two ( 3.22 ) twenty-one twenty-one RR RR rubidium ( 3.23 ) M¹ch cöa radium : UCC, R3 t-¬ng ®-¬ng víi nguån ¸p : UCC, RC : UCC= UCC ( 3.24 ) RC= R3 ( 3.25 )
- GIÁO TRÌNH LINH KIỆN ĐIỆN TỬ page fifty-two C¸c gi¸ trÞ ph©n cùc ®-îc x¸c ®Þnh tõ s¬ ®å h×nh 3-5 theo c¸c speed of light « nanogram thøc : ( 3.14 ), ( 3.15 ), ( 3.18 ), ( 3.19 ). 3.4.3 æn ®Þnh chÕ ®é lµm viÖc cho BJT Trong qu¸ tr×nh lµm viÖc, ®iÓm lµm viÖc cña BJT cã thÓ bÞ tr « iodine khái vÞ trÝ ®· chän ngay c¶ chi ch-a cã t¸c ®éng cña c¸c tÝn hiÖu cã Ých do mét sè hiÖu øng mÊt æn ®Þnh t¸c ®éng nh- : nhiÖt ®é thay ®æi, nguån ph©n cùc mét chiÒu thay ®æi vµ chi tham sè cña c¸c phÇn tö trong m¹ch thay ®æi. §Ó BJT lµm viÖc b×nh th-êng, kh « nanogram ¶nh h-ëng ®Õn chØ tiªu chÊt l-îng cña m¹ch, trong c¸c s¬ ®å m¹ch ®iÖn tö sö dông BJT th-êng thùc hiÖn c¸c biÖn ph¸p æn ®Þnh : – §-a thªm vµo m¹ch c¸c phÇn tö hoÆc c¸c ®o¹n m¹ch æn ®Þnh nhiÖt ®é, æn ®Þnh nguån mét chiÒu. – Thay thÕ c¸c phÇn tö m¹ch cã tham sè æn ®Þnh h¬n. – T¹o ra biÕn ®æi ng-îc bï trõ cho nh÷ng biÕn ®æi g©y mÊt æn ®Þnh hoÆc ph-¬ng ph¸p cung cÊp ng-îc – ph-¬ng ph¸p håi tiÕp ©m, ph-¬ng ph¸p nµy sÏ ®-îc nghiªn cøu trong ch-¬ng khuÕch ®¹i. §èi víi BJT, ®iÖn ¸p ph©n cùc thuËn tiÕp gi¸p £mit¬ ( uBE ) vµ dßng ®iÖn ng-îc tiÕp gi¸p vitamin c « lÕct¬ ( ICB0 ) ®Òu phô thuéc vµo nhiÖt ®é. Dßng ®iÖn ICB0 phô thuéc chñ yÕu vµo nhiÖt ®é. R1 R2 R3 b deoxycytidine monophosphate einsteinium ICB0 ( boron ) + UCC – + uBE – + uCE – ID0 R1 R2 R3 bacillus carbon vitamin e ( angstrom ) + UCC – + uBE – + uCE – vitamin d RT t0 H×nh 3-8 æn ®Þnh barn » nanogram ®iÖn trë nhiÖt ( vitamin a ) vµ ®ièt ph©n cùc ng-îc ( b ) Theo c¸ch thø nhÊt, cã thÓ m¾c song song víi tiÕp gi¸p £mit¬ ®iÖn trë nhiÖt cã hÖ sè nhiÖt ©m ( h×nh 3-8a ). chi nhiÖt ®é t¨ng, dßng vitamin c « lÕct¬ t¨ng ®ång thêi ®iÖn trë nhiÖt gi¶m lµm gi¶m uBE, dßng Baz¬ gi¶m kÐo theo dßng coke « lÕct¬ còng gi¶m theo bï trõ møc t¨ng dßng nµy suffice nhiÖt ®é. H×nh 3-8b lµ s¬ ®å bï trõ mÊt æn ®Þnh nhiÖt g©y bëi ICB0 boron » nanogram dßng ®iÖn ng-îc cña ®ièt ID0 ( dßng ng-îc b·o hoµ constitute ). TÊt c¶ c¸c biÕn ®æi cña ICB0 theo nhiÖt ®é ®Òu ®-îc bï trõ b » nanogram c¸c biÕn ®æi cña ID0 mµ Ýt ¶nh h-ëng ®Õn c¸c dßng ®iÖn kh¸c cña BJT .
- GIÁO TRÌNH LINH KIỆN ĐIỆN TỬ page fifty-three Ph-¬ng ph¸p håi tiÕp ©m ®-îc sö dông nhiÒu ®Ó æn ®Þnh chÕ ®é lµm viÖc cho BJT. H×nh 3-9 lµ c¸c ph-¬ng ¸n thorium « nanogram dông trong c¸c m¹ch ®iÖn tö. R2 angstrom bel ¸ b b’ coke east iB iB+iC ( vitamin a ) + UCC – + uBE – + uCE – R1 R2 R3 a barn ¸ barn b’ carbon einsteinium iB ninety-nine ( bacillus ) + UCC – + uBE – + uCE – R1 R4 internet explorer i H×nh 3-9 æn ®Þnh chÕ ®é lµm viÖc cña BJT barn » nanogram håi tiÕp ©m. S¬ ®å h×nh 3-9a lµ æn ®Þnh barn » nanogram ®iÖn ¸p song song. Nguyªn lý nh- sau : chi nhiÖt ®é t¨ng, dßng intelligence community t¨ng, ®iÖn ¸p trªn R2 t¨ng, ubb ’ gi¶m, ®iÖn ¸p thµnh phÇn ph©n ¸p uaa ’ = uBE gi¶m theo dÉn ®Õn iB gi¶m lµm cho intelligence community gi¶m, kÐo intelligence community vÒ gi¸ trÞ æn ®Þnh. C¸c gi¸ trÞ ph©n cùc cã thÓ x¸c ®Þnh trùc tiÕp tõ s¬ ®å : UCC=UR2+UR1+uBE = ( iC+iB ) R2+iBR1+uBE = iB ( βF+1 ) R2+ iBR1+uBE twenty-one ) one ( RR uU iodine f BECC b To¹ ®é ®iÓm q ®Çu vµo cã ®iÖn ¸p be nh- 3.14 : VUBEQ 6,0, vµ : twenty-one ) one ( 6,0 RR VU one farad two hundred BQ ( 3.26 ) To¹ ®é ®iÓm q ®Çu ra cã dßng coke « lÕct¬ nh- 3.18 : BQFCQ two , vµ : two ) ( RIIUU CQBQCCCEQ ( 3.27 ) Ph-¬ng ph¸p ph©n cùc cã håi tiÕp trªn coulomb « lÕct¬ nªn cßn ®-îc gäi lµ ph©n cùc håi tiÕp ( ph¶n håi ) hundred « lÕct¬. S¬ ®å h×nh 3-9b lµ æn ®Þnh b-complex vitamin » nanogram håi tiÕp dßng ®iÖn nèi tiÕp. Nguyªn lý nh- sau : chi nhiÖt ®é t¨ng, dßng ninety-nine t¨ng, dßng internet explorer = ( iC+ iB ) t¨ng lµm UR4 t¨ng, ®iÖn ¸p uBE= ( UR2- UR4 ) gi¶m, dÉn ®Õn iB gi¶m lµm cho ninety-nine gi¶m, kÐo ninety-nine vÒ gi¸ trÞ æn ®Þnh. C¸c gi¸ trÞ ph©n cùc cã thÓ x¸c ®Þnh b » nanogram c¸ch quy vÒ s¬ ®å t-¬ng ®-¬ng h×nh 3-10. C¸c gi¸ trÞ t-¬ng ®-¬ng theo c¸c c « nanogram thøc tõ 3.22 ®Õn 2.25 vµ RE=R4 .
- GIÁO TRÌNH LINH KIỆN ĐIỆN TỬ page fifty-four rubidium RC ampere barn ¸ b’ EUBB UCC coulomb boron iB + – uBE ninety-nine + uCE – i rhenium H×nh 3-10 S¬ ®å t-¬ng ®-¬ng m¹ch h×nh 3-9b £RiuRiU EBEBBBB ; BFE two ) one ( EFB BEBB b-complex vitamin RR uU one ) one ( To¹ ®é ®iÓm q ®Çu vµo cã ®iÖn ¸p be nh- 3.14 : VUBEQ 6,0, vµ : EFB bb BQ RR VU i ) one ( 6,0 ( 3.28 ) To¹ ®é ®iÓm q ®Çu right ascension cã dßng cytosine « lÕct¬ nh- 3.18 : BQFCQ two , vµ : CCQECQBQCCCEQ RIRIIUU ) ( ( 3.29 ) Ph-¬ng ph¸p ph©n cùc cã håi tiÕp trªn ªmit¬ nªn cßn ®-îc gäi lµ ph©n cùc håi tiÕp ( ph¶n håi ) ªmit¬. 1.4.4 C¸c chÕ ®é lµm viÖc cña BJT iodine. §Æc tÝnh t¶i XÐt c¸c ®Æc tuyÕn tÜnh trong ®iÒu kiÖn gi÷ mét tham sè nµo ®ã cè ®Þnh : ®Æc tuyÕn vµo chi m¾c einsteinium chung lµ quan hÖ gi÷a dßng iB vµ uBE øng víi c¸c planck’s constant » nanogram sè uCE, ®Æc tuyÕn ra lµ quan hÖ gi÷a dßng ninety-nine vµ uCE øng víi c¸c hydrogen » nanogram sè iB. chi BJT lµm viÖc víi chÕ ®é cã t¶i, quan hÖ dßng vµ ¸p theo quy luËt ®-êng t¶i, c¸c dßng ®iÖn vµ ®iÖn ¸p trªn c¸c cùc ®Òu thay ®æi nªn gäi lµ chÕ ®é ®éng. Ph©n tÝch ®Æc tÝnh t¶i cöa radium cña BJT trong m¹ch ®iÖn h×nh 3-11a. * T¶i mét chiÒu chi lµm viÖc víi nguån mét chiÒu, tô ®iÖn coi nh- hë m¹ch, BJT chØ cã mét t¶i duy nhÊt lµ RC, ®-êng t¶i theo biÓu thøc 3.17 tÝnh riªng cho thµnh phÇn mét chiÒu víi iC= intelligence community vµ uCE= UCE sÏ lµ : hundred CECC c r UU one ( 3.30 ) Trong ®ã intelligence community lµ dßng mét chiÒu qua RC vµ UCE lµ ®iÖn ¸p mét chiÒu trªn cerium. §é dèc cña ®-êng t¶i mét chiÒu phô thuéc vµo RC :
- GIÁO TRÌNH LINH KIỆN ĐIỆN TỬ page fifty-five ) one ( chromium acrtg ( 3.31 ) R1 R2 RC iB ninety-nine ( deoxyadenosine monophosphate ) + UCC – + uBE – + uCE – Rt deoxycytidine monophosphate q megabyte newton Tải xoay chiều Tải một chiều intelligence community uCE UCE0 PCmax UCbh UCEQ ICQ chromium CCU UCC IBmax iB=0 ICbh three two iodine ( boron ) internet explorer ICmax Parabôn bão hoà intelligence community ’ H×nh 3-11 M¹ch BJT cã t¶i ( a ) vµ ®Æc tÝnh t¶i cña BJT ( b ) §-êng t¶i mét chiÒu cã ®é dèc ( -1/RC ) phô thuéc t¶i mét chiÒu : RC * T¶i xoay chiÒu chi lµm viÖc víi tÝn hiÖu xoay chiÒu, tô ®iÖn hundred coi nh- ng¾n m¹ch. Theo nguyªn lý xÕp chång, UCC ®èi víi tÝn hiÖu xoay chiÒu còng coi nh- ng¾n m¹ch. T¶i xoay chiÒu bao gåm RC m¾c song song víi Rt : trusteeship council trusteeship council txc RR RR gas constant ( 3.32 ) §-êng t¶i xoay chiÒu cã ®é dèc ( -1/Rtxc ) phô thuéc gi¸ trÞ t¶i xoay chiÒu Rtxc : ) one ( ‘ txcR acrtg ( 3.33 ) two. C¸c chÕ ®é lµm viÖc cña BJT chi lµm viÖc trong m¹ch cã t¶i, ®iÓm lµm viÖc cña BJT tr-ît trªn ®-êng t¶i. §iÓm lµm viÖc cã thÓ r¬i vµo c¸c chÕ ®é sau ®©y ChÕ ®é c¾t dßng iB = zero, ®iÓm lµm viÖc trong vïng i north » meter trªn vµ phÝa d-íi ®-êng ®Æc tuyÕn tÜnh iB = 0. ë chÕ ®é nµy c¸c tiÕp gi¸p cña BJT hoÆc ®Òu kh « nanogram ®-îc ph©n cùc hoÆc ph©n cùc ng-îc. Dßng ®iÖn iB= zero Dßng ®iÖn ninety-nine cã gi¸ trÞ * 0CBI zero ( hoÆc b » nanogram zero chi kh « nanogram ph©n cùc ) §iÖn ¸p uCE UCC Trªn ®-êng t¶i mét chiÒu, ®iÓm biªn giíi c¾t dßng lµ M. ChÕ ®é nµy cã dßng ®iÖn gÇn b » nanogram zero vµ ®iÖn ¸p gÇn bel » nanogram nguån t-¬ng ®-¬ng víi tr¹ng th¸i ng¾t cña mét deoxycytidine monophosphate « nanogram t¾c ®iÖn .
- GIÁO TRÌNH LINH KIỆN ĐIỆN TỬ page fifty-six ChÕ ®é tÝch cùc, ®iÓm lµm viÖc trong vïng two. Vïng nµy ®-îc giíi h¹n bëi ®Æc tuyÕn tÜnh iB = zero, ®-êng parab « nitrogen b·o hoµ, UCE0, PCmax, ICmax. ë chÕ ®é tÝch cùc, BJT cã kh¶ n¨ng khuÕch ®¹i tuyÕn tÝnh nªn cßn ®-îc gäi lµ chÕ ®é khuÕch ®¹i tuyÕn tÝnh. Vïng nµy cã dßng ®iÖn Ýt phô thuéc vµo uCE, ®Æc tuyÕn gÇn nh- song song víi trôc hoµnh cßn gäi lµ vïng dßng kh « nanogram ®æi. Lµm viÖc chÕ ®é tÝch cùc, BJT cã tiÕp gi¸p exabyte ( JE ) ph©n cùc thuËn, tiÕp gi¸p bc ( JC ) ph©n cùc ng-îc. Trªn ®-êng t¶i mét chiÒu, chÕ ®é tÝch cùc lµ ®o¹n minnesota. ChÕ ®é tÝch cùc th-êng ®-îc sö dông trong c¸c m¹ch t-¬ng tù. ChÕ ®é b·o hoµ, vïng three normality » molarity trªn vµ phÝa trªn ®-êng parab « nitrogen b·o hoµ. ë chÕ ®é nµy c¸c tiÕp gi¸p cña BJT ®Òu ®-îc ph©n cùc thuËn. Dßng ®iÖn baz¬ : iB = IBmax Dßng ®iÖn intelligence community =βF.IBmax= henry » nanogram sè §iÖn ¸p uCE= UCbh zero Trªn ®-êng t¶i mét chiÒu, ®iÓm biªn giíi b·o hoµ lµ N. ë chÕ ®é b·o hoµ, dßng ninety-nine lutetium « nitrogen lµ h » nanogram sè vµ ®¹t gi¸ trÞ cùc ®¹i chi t¨ng iB > IBmax, kh « nanogram ®iÒu khiÓn ®-îc dßng ®iÖn. ChÕ ®é nµy cã dßng ®iÖn lµ cùc ®¹i vµ ®iÖn ¸p gÇn b » nanogram zero t-¬ng ®-¬ng víi tr¹ng th¸i ®ãng cña mét vitamin c « nanogram t¾c ®iÖn. BJT lµm viÖc ë hai chÕ ®é c¾t dßng vµ b·o hoµ t-¬ng ®-¬ng víi hai tr¹ng th¸i ng¾t vµ ®ãng cña mét hundred « nanogram t¾c ®iÖn gäi lµ chÕ ®é kho¸. ChÕ ®é kho¸ cña BJT lµ chÕ ®é chuyÓn tõ c¾t dßng sing b·o hoµ vµ ng-îc l¹i. ChÕ ®é nµy ®-îc sö dông trong c¸c m¹ch xung, sè .
- GIÁO TRÌNH LINH KIỆN ĐIỆN TỬ foliate fifty-seven CHƯƠNG four : transistor HIỆU ỨNG TRƯỜNG ( field-effect transistor ) Ch-¬ng nµy sÏ nªu cÊu t¹o, ph©n tÝch c¸c hiÖn t-îng vËt lý vµ c¸c quan hÖ dßng ®iÖn, ®iÖn ¸p x¶y radium trong field-effect transistor ( field effect transistor ). CÊu tróc field-effect transistor cã kªnh b¸n dÉn lo¹i phosphorus hoÆc lo¹i N. Dßng ®iÖn ch¹y qua kªnh dÉn ®-îc ®iÒu khiÓn barn » nanogram ®iÖn tr-êng thorium « nanogram qua thay ®æi ®é dÉn ®iÖn cña kªnh. ViÖc ph©n tÝch sÏ tËp trung vµo field-effect transistor kªnh dÉn lo¹i nitrogen, cßn kªnh dÉn lo¹i p cã thÓ ph©n tÝch t-¬ng tù chØ ®æi lÉn vÞ trÝ p cho nitrogen vµ ®æi lÉn vai trß lç trèng cho ®iÖn tö. 4-1. Tranzito hiÖu øng tr-êng MOSFET kªnh dÉn normality 4.1.1 MOSFET giµu ( enhancement ) kªnh dÉn n I. CÊu t¹o : ( a ) Ký hiÖu : ( bel ) H×nh 4-1 CÊu t¹o ( a ) vµ ký hiÖu ( b-complex vitamin ) MOSFET giµu kªnh dÉn normality MOSFET lµ tranzito hiÖu øng tr-êng field-effect transistor ( field effect transistor ) cã cùc cöa c¸ch ®iÖn immunoglobulin ( insulate gate ) theo vitamin c « nanogram nghÖ molybdenum ( alloy oxide semiconductor device ), cßn cã tªn gäi kh¸c lµ IGFET. Tranzito ®-îc cÊu t¹o tõ mét phiÕn ®Õ pha t¹p nhÑ chÊt b¸n dÉn lo¹i P. boron » nanogram hundred « nanogram nghÖ quang kh¾c vµ khuÕch t¸n ®-a vµo hai khèi b¸n dÉn lo¹i n pha t¹p cao, g¾n víi c¸c ®iÖn cùc nguån ( S-Source ) vµ cùc m¸ng ( D-Drain ), c¸ch nhau mét ®o¹n trong phiÕn ®Õ gäi lµ kªnh dÉn. Vïng kªnh ®-îc phñ mét líp ®iÖn meter « iodine « xÝt ( SiO2 ). Líp kim lo¹i ( M-Metal ) hoÆc b¸n dÉn ®a tinh thÓ phñ trªn líp Vïng kªnh liter Si02 PhiÕn ®Õ phosphorus N+ N+ s vitamin d bel g d south b thousand
- GIÁO TRÌNH LINH KIỆN ĐIỆN TỬ page fifty-eight ®iÖn megabyte « one g¾n víi cùc cöa ( G-Gate ). Líp ®iÖn megabyte « one ( O-Oxide ) ®¶m b¶o c¸ch ®iÖn mét chiÒu tõ phiÕn ®Õ b¸n dÉn ( S-Semiconductor ) ®Õn cùc cöa. Thùc tÕ dßng qua líp ®iÖn thousand « iodine chØ kho¶ng 10-15 angstrom hoÆc nhá h¬n. C¸c kÝch th-íc vËt lý quan träng cña MOSFET lµ ®é réng cùc cöa west, ®é dµi cùc cöa liter, ®é dµy líp « xÝt tox. §iÖn cùc g¾n víi phiÕn ®Õ lµ cùc th©n ( B-Body ), trong c¸c tranzito rêi r¹c, cùc nµy th-êng ®-îc nèi víi cùc nguån, MOSFET cßn l¹i barium cùc : south, gigabyte, D. thorium « nanogram th-êng cÊu tróc MOSFET lµ ®èi xøng nªn cã thÓ ®æi lÉn second vµ d mµ kh « nanogram lµm thay ®æi tÝnh chÊt cña field-effect transistor. two. MOSFET chi kh « nanogram cã ®iÖn ¸p cùc cöa uGS chi uDS > zero, tiÕp gi¸p PN gi÷a vitamin d vµ phiÕn ®Õ ph©n cùc ng-îc, kh « nanogram cho dßng ®iÖn ch¶y qua líp nghÌo gi÷a d vµ phiÕn ®Õ nªn dßng cùc m¸ng iD=0. chi uDS < zero th× tiÕp gi¸p gi÷a phiÕn ®Õ vµ sulfur còng ph©n cùc ng-îc, iD=0. Nh- vËy, chi kh « nanogram cã uGS, MOSFET ë chÕ ®é c¾t dßng. three. MOSFET chi cã ®iÖn ¸p cùc cöa uGS H×nh 4-2 MOSFET chi cã ®iÖn ¸p cùc cöa uGS Gi¶ thiÕt uDS > zero vµ uGS > zero. cause cã uGS, h×nh thµnh ®iÖn tr-êng trong líp « xÝt. D-íi t¸c ®éng cña ®iÖn tr-êng nµy mµ c¸c lç trèng bÞ ®Èy lïi s©u vµo phiÕn ®Õ, ®Ó l¹i c¸c ion ©m AxÐpto kh « nanogram dÉn ®iÖn, MOSFET vÉn ë chÕ ®é c¾t dßng. chi t¨ng uGS ®Õn gi¸ trÞ ng-ìng UTR, tr-êng líp « xÝt b¾t ®Çu hót c¸c ®iÖn tö vÒ phÝa cùc cöa h×nh thµnh líp ®¶o ®iÖn tö nèi gi÷a cùc randomness vµ cùc five hundred gäi lµ kªnh dÉn. Kªnh dÉn b¾c cÇu qua vïng nghÌo gi÷a five hundred vµ phiÕn ®Õ v× vËy cã thÓ cho dßng id ch¶y qua. §é dÉn ®iÖn cña kªnh dÉn t¨ng theo uGS v× chi uGS t¨ng, mËt ®é c¸c ®iÖn tö trong kªnh dÉn t¨ng, kªnh dÉn giµu c¸c ®iÖn tö. Kªnh dÉn gåm toµn c¸c ®iÖn tö nªn gäi lµ kªnh dÉn lo¹i N. do tån t¹i kªnh dÉn nªn xuÊt hiÖn líp nghÌo máng gi÷a kªnh dÉn vµ phiÕn ®Õ h×nh thµnh líp ng¨n c¸ch gi÷a kªnh dÉn vµ phiÕn ®Õ. Kªnh dÉn ®-îc h×nh thµnh make c¶m øng ®iÖn tr-êng nªn lo¹i MOSFET nµy cßn ®-îc gäi lµ lo¹i kªnh c¶m øng. PhiÕn ®Õ p N+ N+ b – + – + uDSuGS Líp nghÌo Líp ®¶o ®iÖn tö
- GIÁO TRÌNH LINH KIỆN ĐIỆN TỬ page fifty-nine Mçi MOSFET cã gi¸ trÞ ng-ìng x¸c ®Þnh, phô thuéc vµo møc pha t¹p trong phiÕn ®Õ vµ c¸c thursday « nanogram sè chÕ t¹o kh¸c. §èi víi MOSFET giµu gi¸ trÞ nµy kho¶ng 0,5 ®Õn three V. 1.MOSFET chi uDS nhá : chi uDS cßn nhá ( kho¶ng 1V ) vµ uGS lín h¬n UTR ( cã kªnh dÉn ), mËt ®é c¸c ®iÖn tö trong kªnh dÉn lµ ®ång ®Òu, MOSFET ho¹t ®éng nh- ®iÖn trë cã dßng m¸ng tû lÖ tuyÕn tÝnh víi uDS víi hÖ sè tû lÖ phô thuéc vµo uGS. Quan hÖ nµy ®-îc biÓu diÔn qua ®-êng liÒn nÐt trªn ®å thÞ h×nh 4-2. Vïng lµm viÖc nµy ®-îc gäi lµ vïng ®iÖn trë. §Æc tuyÕn biÓu diÔn vïng ®iÖn trë theo biÓu thøc sau : iD= 2K ( uGS- UTR ) uDS ( 4.1 ) §iÖn trë kªnh dÉn sÏ lµ : uDS/iD vµ lµ hµm biÕn ®æi tuyÕn tÝnh theo uGS. hydrogen » nanogram sè k lµ hÖ sè dÉn phô thuéc vµo vËt liÖu vµ kÝch th-íc chÕ t¹o : Lt tungsten kilobyte ox oxe two ( mA/ V2 ), ( 4.2 ) trong ®ã µelµ ®é linh ®éng ®iÖn tö trong chÊt b¸n dÉn vµ Єoxlµ henry » nanogram sè ®iÖn megabyte « i cña líp « xÝt. tungsten vµ fifty lµ kÝch th-íc cùc cöa ( l lµ chiÒu dµi däc theo kªnh dÉn vµ tungsten lµ chiÒu réng cùc cöa ), tox lµ ®é dµy líp « xÝt. id uDS H×nh 4-2 §Æc tuyÕn V-A chi uDS nhá H×nh 4-3 MOSFET chi t¨ng uDS PhiÕn ®Õ p N+ N+ b-complex vitamin – + – + uDSuGS Líp nghÌo Kªnh dÉn
- GIÁO TRÌNH LINH KIỆN ĐIỆN TỬ page sixty chi uDS t¨ng, ®iÖn ¸p uDS ph©n bè däc theo kªnh dÉn : t¹i cùc nguån s barn » nanogram zero vµ t¹i cùc vitamin d boron » nanogram uDS. Chªnh lÖch ®iÖn ¸p qua líp « xÝt gÇn d lµ uGS-uDS nhá h¬n uGS. §iÖn tr-êng trong líp « xÝt gÇn cùc m¸ng sÏ yÕu nªn bÒ dµy kªnh dÉn sÏ nhá h¬n ( h×nh 4-3 ). bash tiÕt diÖn kªnh dÉn gi¶m dÇn vÒ phÝa d nªn ®Æc tuyÕn V-A trë nªn phi tuyÕn ( ®-êng ®øt nÐt trªn ®å thÞ h×nh 4-2 ), gièng chÕ ®é ®iÖn tÝch kh « nanogram gian cña ®Ìn ®iÖn tö nªn gäi lµ chÕ ®é Trièt ( vïng trièt ) : iD= kelvin [ two ( uGS- UTR ) uDS-u2 five hundred ] ( 4.3 ) 2.MOSFET chi uDS lín TiÕp tôc t¨ng uDS tíi gi¸ trÞ giíi h¹n mµ kªnh dÉn cã ®é dµy b-complex vitamin » nanogram kh « nanogram ( th¾t l¹i ) t¹i cùc m¸ng, ®iÖn ¸p sôt trªn líp « xÝt dÇn tíi UTR. Gi¸ trÞ giíi h¹n cña uDS ®-îc tÝnh tõ ®iÒu kiÖn : uGS- uDS = UTR = > uDS= uGS- UTR ( 4.4 ) chi uDS t¨ng ®Õn gi¸ trÞ giíi h¹n ë trªn gäi lµ ng-ìng th¾t, dßng id vÉn tån t¹i serve líp ®¶o ®iÖn tö vÉn nèi tíi cùc m¸ng ®-îc nhê ®iÖn tr-êng ph©n cùc ng-îc cña líp nghÌo. Biªn ®é dßng qua kªnh dÉn ®-îc x¸c ®Þnh duy nhÊt qua ®iÖn ¸p sôt trªn kªnh dÉn. Dßng ®iÖn nµy cã gi¸ trÞ kh « nanogram ®æi chi uDSv-ît qu¸ gi¸ trÞ ng-ìng th¾t ( uGS- UTR ). Vïng lµm viÖc nµy gäi lµ vïng dßng kh « nanogram ®æi : iD= potassium ( uGS- UTR ) two ( 4.5 ) Nh- vËy ®Æc tuyÕn V-A biÓu thÞ quan hÖ gi÷a dßng id vµ ®iÖn ¸p uDS cña MOSFET giµu kªnh dÉn normality nh- trªn h×nh 4-4. idaho uDS= uGS- UTR uGS > UTR > zero uGS= UTR uDS H×nh 4-4 §Æc tuyÕn V-A cùc m¸ng cña MOSFET giµu kªnh dÉn north §Æc tuyÕn gåm barium vïng : Vïng c¾t dßng chi uGS < UTR ( ch-a cã kªnh dÉn ) : iD=0
- GIÁO TRÌNH LINH KIỆN ĐIỆN TỬ page sixty-one Vïng Tri « thymine chi uGS > UTR ( cã kªnh dÉn ) vµ zero
iD= K(uGS- UTR)2
§-êng biªn giíi gi÷a vïng tri«t vµ vïng dßng kh«ng ®æi lµ ®-êng
Parab«n: iD= Ku2
DS, uDS= uGS- UTR. Trong vïng tri«t iD phô thuéc c¶ vµo uGS vµ
uDS, vïng dßng kh«ng ®æi dßng ®iÖn chØ phô thuéc vµo (uGS- UTR)
§Æc tuyÕn V-A gi÷a dßng iG vµ uGS trªn h×nh 4-5a. Dßng ®iÖn cùc cöa qua
líp ®iÖn m«i SiO2 lu«n b»ng kh«ng víi mäi gi¸ trÞ cña uGS.
§Æc tuyÕn truyÒn dÉn gi÷a iD vµ uGS trªn h×nh 4-5b. Dßng ®iÖn iD chØ xuÊt
hiÖn khi uGS> UTR.
iG
uGS
(a)
iD
ChÕ ®é giµu
|
(b) UTR uGS
H×nh 4-5 §Æc tuyÕn V-A cùc cöa (a) vµ ®Æc tuyÕn truyÒn dÉn (b)
cña MOSFET giµu kªnh dÉn N
4.1.2. MOSFET nghÌo (Depletion) kªnh dÉn N
(a)
uDS= uGS- UTR
vïng giµuuGS>0
uGS=0
vïng nghÌo uGS<0 (b) uGS= UTR< 0 uDS S D G B - GIÁO TRÌNH LINH KIỆN ĐIỆN TỬ page sixty-two H×nh 4-6 Ký hiÖu ( adenine ) vµ ®Æc tÝnh V-A cùc m¸ng ( b-complex vitamin ) cña MOSFET nghÌo kªnh dÉn north MOSFET kªnh dÉn north cã thÓ lµm viÖc ë chÕ ®é nghÌo chi uGS ©m gäi lµ MOSFET nghÌo kªnh dÉn N. bel » nanogram c¸ch ®-a vµo mét líp c¸c ion d-¬ng § « no ®Æt gi÷a líp ®iÖn megabyte « i vµ phiÕn ®Õ p, líp ion nµy thu hót c¸c ®iÖn tö trong phiÕn ®Õ h×nh thµnh kªnh dÉn. Kªnh dÉn cßn cã thÓ lµ khèi b¸n dÉn nitrogen ®-a vµo gi÷a líp ®iÖn thousand « one vµ phiÕn ®Õ P. MOSFET nghÌo tån t¹i kªnh dÉn ngay c¶ chi ch-a cã uGS nªn cßn ®-îc gäi lµ MOSFET cã kªnh ®Æt s½n. MOSFET nghÌo kªnh dÉn normality ®-îc ký hiÖu nh- h×nh 4-6a. MOSFET nghÌo kªnh dÉn normality cã ®iÖn ¸p ng-ìng UTR ©m. §Æc tuyÕn V-A gi÷a dßng m¸ng vµ ®iÖn ¸p m¸ng – nguån trªn h×nh 4-6b. §Æc tuyÕn còng gåm bachelor of arts vïng : Vïng c¾t dßng chi uGS < UTR ( uGS ©m h¬n UTR ) iD=0 Vïng Tri « thyroxine chi uGS > UTR ( uGS d-¬ng h¬n UTR ) vµ zero
iD= K(uGS- UTR)2
Khi uGS > 0 vµ d-¬ng lªn, l-îng c¸c ®iÖn tö trong kªnh dÉn t¨ng, dßng iD
t¨ng, MOSFET lµm viÖc ë chÕ ®é giµu. Khi uGS < 0 vµ ©m ®i, l-îng c¸c ®iÖn tö kªnh dÉn gi¶m, iD gi¶m, MOSFET lµm viÖc ë chÕ ®é nghÌo. Nh- vËy MOSFET nghÌo cã thÓ lµm viÖc c¶ ë chÕ ®é giµu vµ nghÌo. Trªn ®Æc tuyÕn truyÒn dÉn gi÷a dßng iD vµ uDS, dßng iD xuÊt hiÖn tõ UTR cã gi¸ trÞ ©m (h×nh 4-7). iD ChÕ ®é nghÌo ChÕ ®é giµu UTR uGS H×nh 4-7 §Æc tuyÕn truyÒn dÉn MOSFET nghÌo kªnh dÉn N §Æc tuyÕn iG vµ uGS còng gièng nh- MOSFET giµu: dßng iGlu«n b»ng kh«ng víi mäi gi¸ trÞ uGS. 4-2.Tranzito hiÖu øng tr-êng lo¹i JFET kªnh dÉn n 4.2.1 CÊu t¹o JFET (Junction FET) lµ tranzito hiÖu øng tr-êng cã tiÕp gi¸p PN. CÊu t¹o vµ ký hiÖu cña JFET kªnh dÉn N trªn h×nh 4-8. - GIÁO TRÌNH LINH KIỆN ĐIỆN TỬ page sixty-three Tõ phiÕn ®Õ pha t¹p nhÑ lo¹i p, b » nanogram vitamin c « nanogram nghÖ quang kh¾c vµ khuÕch t¸n, lÇn l-ît ®-a vµo c¸c khèi b¸n dÉn nitrogen lµm kªnh dÉn vµ three khèi b¸n dÉn nitrogen, phosphorus, newton pha t¹p m¹nh ®Ó g¾n vµo c¸c cùc mho, gram, five hundred. TiÕp gi¸p PN gi÷a kªnh dÉn vµ cùc cöa h×nh thµnh líp nghÌo. BÒ réng líp nghÌo cã thÓ thay ®æi ®-îc nhê ®iÖn tr-êng ph©n cùc ng-îc gi÷a kªnh dÉn vµ cùc cöa, suffice vËy cã thÓ thay ®æi ®-îc tiÕt diÖn adenine cña kªnh dÉn. §iÖn trë cña kªnh dÉn ®-îc x¸c ®Þnh tõ ®iÖn trë xuÊt cña chÊt b¸n dÉn lo¹i nitrogen, chiÒu dµi hiÖu dông kªnh liter, tiÕt diÖn hiÖu dông A. Dßng ®iÖn id cã thÓ ®iÒu khiÓn ®-îc barn » nanogram c¸ch thay ®æi ®iÖn trë kªnh dÉn. randomness gram d ( adenine ) Ký hiÖu : five hundred gravitational constant mho ( bacillus ) H×nh 4-8 CÊu t¹o ( a ) vµ ký hiÖu ( bel ) cña JFET kªnh dÉn nitrogen 4.2.2 Ho¹t ®éng cña JFET chi thay ®æi uDS I. chi uDS nhá uDS south gravitational constant d H×nh 4-9 JFET chi uDS cßn nhá N+ N+ P+ Kªnh dÉn nitrogen PhiÕn ®Õ phosphorus Líp nghÌoA fifty N+ N+ P+ vitamin a Kªnh dÉn nitrogen PhiÕn ®Õ phosphorus Líp nghÌo – + – + uGS
- GIÁO TRÌNH LINH KIỆN ĐIỆN TỬ page sixty-four §iÖn ¸p uGS ©m t¹o ra ph©n cùc ng-îc gi÷a cùc cöa vµ phiÕn ®Õ lµm cho ®é réng líp nghÌo t¨ng, tiÕt diÖn kªnh dÉn ampere nhá l¹i. chi uGS ©m ®¹t ®Õn gi¸ trÞ ng-ìng UTR, líp nghÌo më réng hoµn toµn kªnh dÉn, ®iÖn trë kªnh dÉn tiÕn tíi v « cïng, iD= zero, JFET r¬i vµo chÕ ®é c¾t dßng. chi uGS > UTR ( uGS d-¬ng h¬n UTR ), uDS cßn nhá, ®é réng líp nghÌo ®ång ®Òu tõ second ®Õn five hundred, quan hÖ dßng id vµ uDS lµ tuyÕn tÝnh, JFET lµm viÖc ë chÕ ®é ®iÖn trë. chi uDS t¨ng, ®iÖn ¸p ph©n bè däc theo kªnh dÉn t¨ng dÇn tõ south ®Õn five hundred, ph©n cùc ng-îc t¨ng, ®é réng líp nghÌo më réng, kªnh dÉn cã tiÕt diÖn nhá dÇn, quan hÖ dßng idaho vµ uDS trë nªn phi tuyÕn, JFET lµm viÖc ë chÕ ®é tri « t. uDS randomness g d H×nh 4-10 JFET chi uDS t¨ng two. chi uDS lín. chi uDS t¨ng ®Õn chi tiÕt diÖn kªnh dÉn t¹i d tiÕn tíi zero, kªnh dÉn bÞ th¾t l¹i, c¸c ®iÖn tö tr « i qua vïng th¾t víi tèc ®é kh « nanogram ®æi, dßng id qua kªnh dÉn sÏ kh « nanogram ®æi, JFET lµm viÖc ë chÕ ®é dßng kh « nanogram ®æi. 4.2.3. §Æc tuyÕn V-A cña JFET §Æc tuyÕn V-A cña JFET biÓu diÔn quan hÖ gi÷a idaho vµ uDS ( h×nh 4-11 ) gåm three vïng nh- MOSFET : idaho uGS > zero uGS=0V uGS < zero uGS= UTR < zero uDS - + N+ N+ P+ PhiÕn ®Õ p Líp nghÌo - + uGS Kªnh dÉn n
- GIÁO TRÌNH LINH KIỆN ĐIỆN TỬ page sixty-five H×nh 4-11 §Æc tuyÕn V-A cùc m¸ng cña JFET Vïng c¾t dßng chi uGS < UTR ( uGS ©m h¬n UTR ) : iD=0 Vïng tri « t chi uGS > UTR ( uGS d-¬ng h¬n UTR ) vµ zero
iD= K(uGS- UTR)2
HÖ sè K ®èi víi JFET ®-îc tÝnh theo c«ng thøc sau:
2
P
DSS
U
I
K h»ng, UP= UTR, iD= IDSS= K.UP
2
khi uGS = 0 (4.6)
JFET chØ ho¹t ®éng víi uGS ©m, khi uGS d-¬ng tiÕp gi¸p PN gi÷a cùc cöa vµ
kªnh dÉn ph©n cùc thuËn, dßng iG nh- ®i«t ph©n cùc thuËn, uGS sÏ kh«ng ®iÒu
khiÓn ®-îc dßng qua kªnh dÉn n÷a. §Æc tuyÕn V-A gi÷a iG vµ uGS nh- trªn h×nh
4-12a: vïng lµm viÖc cña JFET lµ vïng GS ph©n cùc ng-îc, iG = 0.
iG iD
IDSS
ChÕ ®é nghÌo
Vïng lµm viÖc uGS UP=UTR uGS
(a) §Æc tuyÕn cùc cöa (b) ®Æc tuyÕn truyÒn dÉn
H×nh 4-12 §Æc tuyÕn V-A cùc cöa cña JFET.
§Æc tuyÕn truyÒn dÉn cña JFET (h×nh 4-12b) c¾t trôc iD t¹i iD=IDSS khi uGS
= 0. Vïng lµm viÖc lµ chÕ ®é nghÌo øng víi uGS < 0 4-3 tranzito hiÖu øng tr-êng lo¹i GaAsMESFET MESFET (Metal Semiconductor FET) lµ tranzito hiÖu øng tr-êng cã cùc cöa kim lo¹i vµ kªnh b¸n dÉn. GaAs lµ chÊt b¸n dÉn hîp chÊt hai nguyªn tè gallium (nhãmIII) vµ arsenic (nhãm V) cã ®Æc tÝnh gièng silicon nh-ng cã ®é linh ®éng ®iÖn tö cao gÊp 5 lÇn so víi silicon v× vËy mµ tèc ®é chuyÓn tr¹ng th¸i tõ c¾t dßng sang b·o hoµ rÊt nhanh. Kªnh dÉn N cña GaAsMESFET ®-îc lµm tõ Gallium Arsenide. GaAsMESFET ®-îc øng dông nhiÒu trong c¸c m¹ch khuÕch ®¹i tÇn sè cao, c¸c
